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龙图腾网获悉上海功成半导体科技有限公司申请的专利一种调节动态特性的超结VDMOS器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210945489.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种调节动态特性的超结VDMOS器件及制备方法是由柴展;栗终盛;罗杰馨;徐大朋设计研发完成，并于2022-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种调节动态特性的超结VDMOS器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种调节动态特性的超结VDMOS器件及制备方法，在第一导电类型柱顶部形成沟槽，且结合该沟槽形成包括第一栅极介电层及位于第一栅极介电层内的自下而上堆叠设置且相隔的第一子栅极导电层及第二子栅极导电层的第一栅极结构，而后形成第一导电类型源区、第二导电类型体区及第二栅极结构，且第二子栅极导电层与第一导电类型源区电连接，第一子栅极导电层与第二栅极结构电连接，可调节Cgd及Cgs；通过调节第一子栅极导电层及第二子栅极导电层四周的栅极介电层的厚度，可灵活调节Ciss、Crss的大小和比例，从而调节超结VDMOS器件的动态特性，在保持高开关速度和低开关功耗的情况下，减小开关电流振荡，缓解EMI噪声。

本发明授权一种调节动态特性的超结VDMOS器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种调节动态特性的超结VDMOS器件，其特征在于，所述超结VDMOS器件包括： 第一导电类型衬底； 第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层位于所述第一导电类型衬底的表面； 第二导电类型柱，所述第二导电类型柱间隔分布于所述第一导电类型外延层内，以在各所述第二导电类型柱之间间隔出第一导电类型柱而形成超结结构，且所述第一导电类型柱顶部具有沟槽； 第二导电类型体区，所述第二导电类型体区位于所述第一导电类型外延层内，且位于所述第二导电类型柱上； 第一导电类型源区，所述第一导电类型源区位于所述第二导电类型体区内； 第一栅极结构，所述第一栅极结构位于所述沟槽内，所述第一栅极结构包括覆盖所述沟槽底部及侧壁的第一栅极介电层及位于所述第一栅极介电层内的自下而上堆叠设置的第一子栅极导电层及第二子栅极导电层，所述第一子栅极导电层及第二子栅极导电层通过所述第一栅极介电层隔开，且所述第二子栅极导电层与所述第一导电类型源区电连接； 第二栅极结构，所述第二栅极结构位于所述第一导电类型源区、所述第二导电类型体区及所述第一栅极结构上，所述第二栅极结构包括第二栅极介电层及位于所述第二栅极介电层表面的第二栅极导电层，且所述第一子栅极导电层与所述第二栅极结构电连接； 层间介质层，所述层间介质层包覆所述第二栅极结构； 正面金属层，所述正面金属层位于所述第一导电类型源区及所述第二导电类型体区的表面； 背面金属层，所述背面金属层位于所述第一导电类型衬底远离所述第一导电类型外延层的表面。

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