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龙图腾网获悉深圳市禾望电气股份有限公司申请的专利一种提升IGBT功率模块寿命的配置方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115374615B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210940241.9，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种提升IGBT功率模块寿命的配置方法是由周党生;吕一航;林洋;谢峰;张孟杰设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升IGBT功率模块寿命的配置方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提升IGBT功率模块寿命的配置方法，包括将所述衬底厚度增加至H,仿真得到所述IGBT功率模块结温波动幅度、结温波动的最大值及结温波动的最小值，根据IGBT功率模块寿命预测策略得出模块循环周期，再通过IGBT功率模块寿命预测策略得到所述IGBT功率模块的寿命；该提升IGBT功率模块寿命的配置方法对IGBT功率模块的衬底厚度进行配置，将增加功率模块衬底厚度融合寿命配置策略对IGBT功率模块进行最佳寿命配置，提高了IGBT功率模块的比热容，延长了IGBT功率模块的使用寿命。

本发明授权一种提升IGBT功率模块寿命的配置方法在权利要求书中公布了：1.一种提升IGBT功率模块寿命的配置方法，其特征在于，所述IGBT功率模块包括半导体、衬底及基板；所述衬底设置于所述半导体及基板之间，所述半导体及基板通过衬底连接在一起；所述方法包括以下步骤： 步骤一：将所述衬底厚度增加至H,仿真得到所述IGBT功率模块结温波动幅度ΔTvj、模块等效结温Tvj_eq，通过所述IGBT功率模块的工作频率得到模块导通时间ton，根据所述衬底厚度H查表得到IGBT功率模块对应的模块厚度因素kthickness，将以上得到的数据根据IGBT功率模块寿命预测策略得出模块循环周期Nn-1； 步骤二：令新的衬底厚度H为原来步骤一的衬底厚度H加上h,将新的衬底厚度H代入步骤一得到所述IGBT功率模块的寿命Nn； 步骤三：判断Nn是否大于或者等于Nn-1；如果否，则认定所述衬底增加至Nn对应的厚度时，所述IGBT功率模块的寿命Nn为最长寿命；如果是，则执行步骤四； 步骤四：令新的衬底厚度H为原来步骤二的衬底厚度H加上h,令Nn-1＝Nn得到新的寿命Nn-1,将新的衬底厚度H代入步骤一得到所述IGBT功率模块的新的寿命Nn； 步骤五：将步骤四得到的新的寿命Nn及Nn-1代入步骤三执行，直到得到所述IGBT功率模块的最长寿命。

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