株式会社国际电气吉野晃生获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072495B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210273445.1，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质是由吉野晃生;大桥直史;高崎唯史设计研发完成，并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质在说明书摘要公布了：本公开提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质，能够使基板处理的面内均一性提高。基板处理装置具备：基板处理室，其对基板进行处理；等离子体生成室，其与所述基板处理室连通；气体供给部，其能够向所述等离子体生成室内供给气体；第一线圈，其配置为围绕所述等离子体生成室，并被供给高频电力；以及第二线圈，其配置为围绕所述等离子体生成室，轴向与所述第一线圈相同且卷绕直径与所述第一线圈不同，并且被供给高频电力，通过该高频电力的供给而产生的电压分布的峰值与由所述第一线圈产生的电压分布的峰值不重叠。
本发明授权基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基板处理装置，其特征在于，具备： 基板处理室，其对基板进行处理； 等离子体生成室，其与所述基板处理室连通； 气体供给部，其能够向所述等离子体生成室内供给气体； 第一线圈，其配置在围绕所述等离子体生成室的第一配置区域，并被供给高频电力；以及 第二线圈，其配置在所述第一配置区域，轴向与所述第一线圈相同且卷绕直径与所述第一线圈不同，并且被供给高频电力，通过该高频电力的供给而产生的电压分布的峰值与由所述第一线圈产生的电压分布的峰值不重叠，且在所述第一配置区域具备与构成所述第一线圈的导体在所述轴向上交替地配置的导体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社国际电气，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号