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西安微电子技术研究所全勇涛获国家专利权

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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种大质量大功耗PGA器件的加固及散热结构及加工方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113871357B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111131666.7,技术领域涉及:H01L23/367;该发明授权一种大质量大功耗PGA器件的加固及散热结构及加工方法是由全勇涛;王博;路海全;苗丰宸;王强;刘曙蓉;贾森;李勇设计研发完成,并于2021-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

一种大质量大功耗PGA器件的加固及散热结构及加工方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种大质量大功耗PGA器件的加固及散热结构及加工方法,包括设置在印制板上的PGA器件,PGA器件顶部设置有一几型金属支架,所述几型金属支架与PGA器件之间设置有贝格斯膜;PGA器件与印制板之间设置有一金属结构片,所述金属结构片与PGA器件底部接触;所述印制板上设置有金属框架,所述几型金属支架和金属结构片均与金属框架接触;所述PGA器件四角位置涂覆环氧胶。本发明的加固及散热结构及加工方法不仅能够对大质量大功耗PGA器件进行可靠加固,而且可以有效解决PGA器件散热问题,提高了星载产品的可靠性。

本发明授权一种大质量大功耗PGA器件的加固及散热结构及加工方法在权利要求书中公布了:1.一种大质量大功耗PGA器件的加固及散热结构,其特征在于,包括设置在印制板(6)上的PGA器件(3),PGA器件(3)顶部设置有一几型金属支架(1),所述几型金属支架(1)与PGA器件(3)之间设置有贝格斯膜(2);PGA器件(3)与印制板(6)之间设置有一金属结构片(4),所述金属结构片(4)与PGA器件(3)底部接触;所述印制板(6)上设置有金属框架(7),所述几型金属支架(1)和金属结构片(4)均与金属框架(7)接触;所述PGA器件(3)四角位置涂覆环氧胶; 所述几型金属支架(1)的一端与金属结构片(4)的一端均通过螺钉固定在金属框架(7)上; 所述金属结构片(4)固定在PGA器件(3)底部无引脚区域; 所述金属结构片(4)底部通过硅橡胶粘接有绝缘板(5),所述绝缘板(5)与印制板(6)接触,所述绝缘板(5)与所述金属结构片(4)尺寸相同; 所述金属结构片(4)厚度为0.9mm~1.2mm,所述绝缘板(5)采用环氧玻璃布板,厚度为0.15mm~0.25mm,所述硅橡胶的厚度为0.05mm~0.15mm; 根据PGA器件(3)的厚度和贝格斯膜(2)形变量得到粘接在几型金属支架(1)上贝格斯膜(2)的厚度,所述贝格斯膜形变量为10%~20%; 涂覆环氧胶为在PGA器件(3)四角涂抹环氧胶,每边各粘固两处,涂抹厚度为1.2mm~1.4mm,在25℃±5℃下初步固化4h,然后在50℃±5℃下固化6h。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安微电子技术研究所,其通讯地址为:710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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