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龙图腾网获悉即思创意股份有限公司申请的专利碳化硅金属氧化物半导体闸极式半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863426B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111117127.8，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权碳化硅金属氧化物半导体闸极式半导体装置是由颜诚廷设计研发完成，并于2021-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅金属氧化物半导体闸极式半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅金属氧化物半导体闸极式半导体装置。该碳化硅金属氧化物半导体闸极式半导体装置包括：碳化硅基板、漂移层、第一掺杂区、第二掺杂区、复数个第三掺杂区、闸极绝缘层、闸电极、以及金属层。该第一掺杂区包含复数个基体部、复数个第一延伸部、以及复数个第一连接部，这些基体部和这些第一连接部沿该第一水平方向延伸且交替排列于该些第一延伸部之间。该第二掺杂区和该第一掺杂区之间定义出复数个的通道区。该闸电极包括闸极总线区和主动区，该主动区的复数个闸电极开口间隔的最小闸极宽度Wg满足下式：Wg＞Wjfet+2×Lch+2×Lx。

本发明授权碳化硅金属氧化物半导体闸极式半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅金属氧化物半导体闸极式半导体装置，其特征在于，包括： 碳化硅基板； 漂移层，设置在该碳化硅基板上，该漂移层具有第一导电类型且包含主表面； 第一掺杂区，设置在该漂移层中，该第一掺杂区具有与第一导电类型相反的第二导电类型，其中，该第一掺杂区和该漂移层形成复数个第一p-n接面和复数个接面场效电晶体区域，该第一掺杂区包含复数个基体部、复数个第一延伸部、以及复数个第一连接部，这些第一延伸部沿第二水平方向延伸且彼此并排间隔设置，这些基体部和这些第一连接部沿第一水平方向延伸且交替排列于这些第一延伸部之间； 第二掺杂区，设置于该第一掺杂区内，该第二掺杂区具有该第一导电类型，且该第二掺杂区和该第一掺杂区形成复数个第二p-n接面，其中，该第二掺杂区和该第一掺杂区之间定义出复数个沿着该主表面上的通道区； 复数个第三掺杂区，设置于该第一掺杂区的这些基体部中，这些第三掺杂区具有该第二导电类型，且这些第三掺杂区被该第二掺杂区环绕； 闸极绝缘层，形成在该主表面上； 闸电极，形成在该闸极绝缘层上，包括闸极总线区和主动区，其中，该闸电极的该主动区包含复数个闸电极开口，相邻的两个闸电极开口间隔的最小闸极宽度Wg满足下式： Wg＞Wjfet+2×Lch+2×Lx 其中，Lch为这些通道区的通道长度，Wjfet为这些接面场效电晶体区域的最小宽度，Lx为该闸电极和该第二掺杂区的最小重迭长度； 层间介电层，形成于该闸电极上：以及 金属层，形成在该层间介电层上，包括彼此电性隔离的第一部分和第二部分，该第一部分设置在该闸电极的该主动区上方，该第二部分设置在该闸电极的该闸极总线区上方，其中，该第一部分透过穿透这些闸电极开口而形成的复数个源极接触与该第三掺杂区和该第二掺杂区电耦合，且该第二部分透过闸极接触与该闸电极电耦合。

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