上海华力集成电路制造有限公司彭翔获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948538B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111103867.6，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权背照式图像传感器及其制造方法是由彭翔;陈昊瑜;姬峰设计研发完成，并于2021-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种背照式图像传感器，包括：像素区衬底、隔离结构、第一介质层、金属网格和第二介质层，所述像素区衬底中形成有网格沟槽和金属插塞，所述隔离结构位于所述网格沟槽中以及所述网格沟槽之间的像素区衬底的表面；其中，所述隔离结构包括：高K介质层、绝缘层和金属内芯层。本申请还提供一种背照式图像传感器的制造方法。本申请在所述隔离结构中增加所述金属内芯层，通过对所述金属内芯层施加负偏压来实现所述网格沟槽之间的各所述像素区衬底区域中的光生电子和或噪声电子的有效隔离，提升器件的抗串扰能力，改善图像画质。
本发明授权背照式图像传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括： 像素区衬底，所述像素区衬底中分别形成有网格沟槽和位于所述网格沟槽侧的多个通孔，所述通孔中形成有金属插塞； 隔离结构，所述隔离结构位于所述网格沟槽中以及所述网格沟槽之间的像素区衬底的表面； 第一介质层，所述第一介质层位于所述隔离结构和所述金属插塞上； 金属网格，所述金属网格位于所述隔离结构表面的所述第一介质层上；以及， 第二介质层，所述第二介质层位于所述金属网格上； 其中，所述隔离结构包括：高K介质层、绝缘层和金属内芯层，所述高K介质层覆盖所述网格沟槽的底壁和侧壁以及所述网格沟槽之间的像素区衬底的表面，所述绝缘层覆盖所述高K介质层，所述金属内芯层位于所述网格沟槽中的所述绝缘层上； 其中，所述背照式图像传感器还包括：金属互连结构，所述金属互连结构位于任意一所述金属插塞上并且与所述金属网格的任意一格点相连，与所述金属互连结构相连的所述格点与所述金属网格的剩余部分完全断开。
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