长鑫存储技术有限公司许杞安获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种静电保护器件以及电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115842018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110961092.X，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种静电保护器件以及电子装置是由许杞安设计研发完成，并于2021-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种静电保护器件以及电子装置在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种静电保护器件以及电子装置。其中，所述静电保护器件包括：P型衬底；N阱，位于所述P型衬底内；PMOS管，所述PMOS管包括栅极以及位于所述栅极两侧的第一P型重掺杂区和第二P型重掺杂区；脉冲监测单元，所述PMOS管的所述栅极受控于所述脉冲监测单元；其中，所述第一P型重掺杂区跨接在所述P型衬底和所述N阱之间，所述P型衬底与第一焊盘连接，且所述第二P型重掺杂区与第二焊盘连接。
本发明授权一种静电保护器件以及电子装置在权利要求书中公布了：1.一种静电保护器件，其特征在于，包括： P型衬底； N阱，位于所述P型衬底内； PMOS管，所述PMOS管包括栅极以及位于所述栅极两侧的第一P型重掺杂区和第二P型重掺杂区； 脉冲监测单元，所述PMOS管的所述栅极受控于所述脉冲监测单元；其中， 所述第一P型重掺杂区跨接在所述P型衬底和所述N阱之间，所述P型衬底与第一焊盘连接，且所述第二P型重掺杂区与第二焊盘连接； 还包括：第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第三N型重掺杂区和第三P型重掺杂区； 所述第一N型重掺杂区、所述第三P型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区位于所述P型衬底内； 所述第三N型重掺杂区和所述第二P型重掺杂区位于所述N阱内； 所述第三P型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区与所述第一焊盘连接； 所述第一N型重掺杂区与所述第二焊盘连接； 第三焊盘；所述第三N型重掺杂区与所述第三焊盘连接； 所述第一焊盘为接地焊盘；所述第二焊盘为输入输出焊盘；所述第三焊盘为电源焊盘。
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