立锜科技股份有限公司廖庭维获国家专利权
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龙图腾网获悉立锜科技股份有限公司申请的专利切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114793055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110928807.1,技术领域涉及:H02M1/088;该发明授权切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路是由廖庭维;陈建馀;游焜煌;邱建维;杨大勇设计研发完成,并于2021-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路在说明书摘要公布了:一种切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路。该切换式转换器电路,根据脉宽调制信号,切换其中的电感一端的电压,以转换输入电源为输出电源。切换式转换器电路包含上桥MOSFET、下桥MOSFET以及驱动电路。驱动电路包括上桥驱动器、下桥驱动器以及空滞时间控制电路。空滞时间控制电路根据输出电流,以适应性延迟下桥驱动信号而产生上桥使能信号,以使能上桥驱动器根据脉宽调制信号,产生上桥驱动信号;及或适应性延迟上桥驱动信号而产生下桥使能信号,以使能下桥驱动器根据脉宽调制信号,产生下桥驱动信号;以适应性控制上桥MOSFET及或下桥MOSFET都不导通的一段空滞时间。
本发明授权切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路在权利要求书中公布了:1.一种切换式转换器电路,用以根据一脉宽调制信号,切换一电感的一端于一第一电压与一第二电压之间,以转换一输入电源为一输出电源,该切换式转换器电路包含: 一上桥金属氧化物半导体场效晶体管,具有N型导电型,耦接于该第一电压与该电感的该端之间; 一下桥金属氧化物半导体场效晶体管,具有N型导电型,耦接于该第二电压与该电感的该端之间;以及 一驱动电路,包括: 一上桥驱动器,用以由一上桥使能信号使能而根据一脉宽调制信号,产生一上桥驱动信号,以驱动该上桥金属氧化物半导体场效晶体管; 一下桥驱动器,用以由一下桥使能信号使能而根据该脉宽调制信号,产生一下桥驱动信号,以驱动该下桥金属氧化物半导体场效晶体管;以及 一空滞时间控制电路,用以根据该输出电源的一输出电流,而产生一空滞时间信号,以适应性延迟该下桥驱动信号或其同相信号,及或适应性延迟该上桥驱动信号或其同相信号,而产生该上桥使能信号及或该下桥使能信号,以适应性控制一空滞时间; 其中,该空滞时间为该上桥金属氧化物半导体场效晶体管与该下桥金属氧化物半导体场效晶体管都不导通的一段期间, 其中,该空滞时间控制电路包括一感测金属氧化物半导体场效晶体管,具有N型导电型,该感测金属氧化物半导体场效晶体管的栅极耦接于该上桥金属氧化物半导体场效晶体管或该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅极,该感测金属氧化物半导体场效晶体管用以根据流经该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的一上桥电流或流经该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的一下桥电流,而于串联耦接于该感测金属氧化物半导体场效晶体管的一感测电阻,产生该空滞时间信号。
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