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龙图腾网获悉通威太阳能(安徽)有限公司申请的专利一种异质结太阳能电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113113502B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110510690.5，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种异质结太阳能电池及制备方法是由薛建锋;王金;余义;王永洁;苏世杰设计研发完成，并于2021-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质结太阳能电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于晶体硅太阳能电池领域，涉及一种异质结太阳能电池及制备方法。针对现有技术中异质结太阳能电池P型掺杂层热稳定性差导致B原子容易扩散进入非晶硅本征层、纯乙硼烷气体掺杂形成的P型掺杂层光学禁带宽度低、高浓度乙硼烷气体掺杂导致掺硼非晶硅的缺陷态密度和发射极复合电流密度增加等P型掺杂层设计不完善的技术问题。本方案提供了一种异质结太阳能电池及制备方法，通过将P型掺杂层设计成叠层结构，包括设置的与本征非晶硅层接触的含三甲基硼气体沉积的第一P型掺杂层，以及至少设置两层含三甲基硼和乙硼烷气体沉积的硼掺杂浓度递增的整体层状结构，制备步骤简单，成本低廉，得到的异质结太阳能电池性能优异。

本发明授权一种异质结太阳能电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳能电池，所述异质结太阳能电池包括基体片、设置在基体片顶表面和底表面上的电极，其特征在于：基体片包括： 单晶硅衬底层； 两组本征非晶硅层，两组本征非晶硅层包括设置在单晶硅衬底层顶侧的第一组本征非晶硅层和设置在单晶硅衬底层底侧的第二组本征非晶硅层； P型掺杂层，所述P型掺杂层设置在所述第一组本征非晶硅层的顶侧； N型掺杂层，所述N型掺杂层设置在所述第二组本征非晶硅层的底侧； 透光导电层，所述透光导电层分别设置在所述的P型掺杂层顶侧和所述N型掺杂层的底侧，所述电极设置在所述透光导电层的表面上； 所述P型掺杂层为从所述第一组本征非晶硅层的顶侧指向电极方向的叠层结构，包括第一P型掺杂层，所述第一P型掺杂层与所述第一组本征非晶硅层接触，所述第一P型掺杂层为含三甲基硼气体沉积而成的整体层状结构，所述第一P型掺杂层上至少设置两层含三甲基硼和乙硼烷气体沉积形成的硼掺杂浓度递增的整体层状结构； 所述P型掺杂层包括从所述第一组本征非晶硅层的顶侧指向电极方向依次排布的以下三层结构： 第一P型掺杂层，所述第一P型掺杂层为含有三甲基硼气体沉积而成的硼轻掺杂整体层状结构； 第二P型掺杂层，所述第二P型掺杂层为含有三甲基硼和乙硼烷气体沉积而成的硼轻掺杂整体层状结构； 第三P型掺杂层，所述第三P型掺杂层为含有三甲基硼和乙硼烷气体沉积而成的硼重掺杂整体层状结构； 制备第一P型掺杂层中，三甲基硼和硅烷的气体流量比为1~5；制备第二P型掺杂层中，三甲基硼和乙硼烷的气体流量比为1~5；制备第三P型掺杂层时，三甲基硼和乙硼烷气体的体积比为0.2~1。

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