华邦电子股份有限公司庄哲辅获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110432438.7，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体器件的制造方法是由庄哲辅;廖修汉设计研发完成，并于2021-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底的周边区的第一区与第二区上形成第一栅介电层，并在衬底上形成第一导体层以及第一硬掩模层；在所述第一区的所述第一硬掩模层上形成第一掩模层；移除所述第一区以外的所述第一硬掩模层；移除所述第一掩模层；以所述第一硬掩模层为掩模，进行湿式刻蚀工艺，移除所述第一区以外的所述第一导体层以及所述第一栅介电层；移除所述第一硬掩模层与所述第一导体层；于所述第二区形成第一栅介电层；以及于所述第一区形成第一栅极导体层，并于所述第二区形成第二栅极导体层。
本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括单元区与周边区，所述周边区包括第一区与第二区，其中所述第一区的晶体管阀值电压小于所述第二区中的晶体管阀值电压； 在所述单元区与所述周边区形成穿隧氧化层以及浮置导体层； 在所述单元区形成硬掩模堆叠层； 以所述硬掩模堆叠层为掩模，移除所述第一区与所述第二区的所述浮置导体层与所述穿隧氧化层； 在所述周边区的所述第一区与所述第二区的所述衬底上形成第一栅介电层，并在所述单元区与所述周边区的所述第一区与所述第二区形成第一导体层以及第一硬掩模层； 移除所述第一区以外的所述第一硬掩模层； 以所述第一硬掩模层为掩模，移除所述第一区以外的所述第一导体层以及所述第一栅介电层； 移除所述第一硬掩模层与所述第一导体层；以及 于所述第一区形成第一栅极导体层。
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