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龙图腾网获悉浙江睿熙科技有限公司申请的专利VCSEL激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115189230B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110353307.X，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权VCSEL激光器及其制备方法是由陈冠廷设计研发完成，并于2021-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本VCSEL激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：公开了一种VCSEL激光器，包括：衬底、形成于所述衬底的N‑DBR层、形成于所述N‑DBR层的有源区、形成于所述有源区的P型半导体结构、通过外延生长工艺成型于所述有源区的生长限制层，其中，所述P型半导体结构被所述生长限制层所包围，所述生长限制层用于使得自由载子流入所述P型半导体结构、形成于所述P型半导体结构和所述生长限制层的上表面的金属融合层、形成于所述金属融合层的可导电衬底；以及，电连接于所述可导电衬底的正电极和电连接于所述衬底的负电极，其中，所述负电极形成对应于所述P型半导体结构的出光孔。

本发明授权VCSEL激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种VCSEL激光器，其特征在于，包括： 衬底； 形成于所述衬底的N-DBR层； 形成于所述N-DBR层的有源区； 形成于所述有源区的P型半导体结构，其中，所述P型半导体结构包括形成于所述有源区的P-DBR层和形成于所述P-DBR层的P型欧姆接触半导体层； 生长限制层，在所述P型半导体结构形成之后通过外延生长工艺成型于所述有源区，其中，所述P型半导体结构被所述生长限制层所包围，所述生长限制层由半导体材料制成，用于使得自由载子流入所述P型半导体结构； 形成于所述P型半导体结构和所述生长限制层的上表面的金属融合层，其中，所述金属融合层包括形成于所述P型半导体结构和所述生长限制层的上表面的第一欧姆接触金属层，以及，形成于所述第一欧姆接触金属层的第一金属导电层；其中，所述第一欧姆接触金属层和所述生长限制层之间形成会肖特基势垒，以阻止工作电流流入所述生长限制层； 形成于所述金属融合层的可导电衬底，包括衬底层和形成于所述衬底层的下表面的结合层，所述结合层键合于所述第一金属导电层；以及 电连接于所述可导电衬底的正电极和电连接于所述衬底的负电极，其中，所述负电极形成对应于所述P型半导体结构的出光孔。

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