ICT半导体集成电路测试有限公司D·温克勒获国家专利权
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龙图腾网获悉ICT半导体集成电路测试有限公司申请的专利用于检查和/或成像样品的带电粒子束装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115516597B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180032855.0，技术领域涉及：H01J37/04；该发明授权用于检查和/或成像样品的带电粒子束装置和方法是由D·温克勒;B·沃勒特;B·夏宾格设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于检查和/或成像样品的带电粒子束装置和方法在说明书摘要公布了：描述成像和或检查样品140的带电粒子束装置10。带电粒子束装置包括：发射一次带电粒子束105的束发射器150，带电粒子束装置适于沿光轴101将一次带电粒子束引导至样品以释放信号粒子；在撞击样品前阻滞一次带电粒子束的阻滞场装置100，阻滞场装置包括物镜110和代理电极130，其中代理电极包括允许一次带电粒子束和信号粒子通过的开口131；代理电极与物镜间的离轴背散射粒子的第一检测器120；以及放大第一检测器信号的前置放大器121，其中前置放大器为下列至少一者：i与第一检测器整合，ii在带电粒子束装置真空外壳102内侧邻近第一检测器布置，及iii固定安装在带电粒子束装置真空腔室中。也描述利用带电粒子束装置成像和或检查样品的方法。
本发明授权用于检查和/或成像样品的带电粒子束装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于成像和或检查样品的带电粒子束装置，包括： 束发射器，所述束发射器用于发射一次带电粒子束，所述带电粒子束装置适于沿着光轴将所述一次带电粒子束引导至所述样品以用于释放信号粒子； 阻滞场装置，所述阻滞场装置用于在撞击所述样品之前阻滞所述一次带电粒子束，所述阻滞场装置包括物镜和代理电极，其中所述代理电极包括允许所述一次带电粒子束和所述信号粒子通过的开口； 第一检测器，所述第一检测器用于所述代理电极与所述物镜之间的离轴背散射粒子； 前置放大器，所述前置放大器用于放大所述第一检测器的信号，其中所述前置放大器为如下中的至少一者：i与所述第一检测器整合，ii在所述带电粒子束装置的真空外壳内侧邻近于所述第一检测器布置，以及iii固定地安装在所述带电粒子束装置的真空外壳中；以及 放大器，所述放大器用于放大由所述前置放大器提供的经前置放大的信号，所述放大器布置在所述带电粒子束装置的所述真空外壳外侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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