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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置的动作条件的调整方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078520B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110172256.0，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权半导体存储装置的动作条件的调整方法是由铃木慎二设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置的动作条件的调整方法在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够实现高速动作的半导体存储装置的动作条件的调整方法。实施方式的半导体存储装置的动作条件的调整方法与半导体存储装置相关，所述半导体存储装置具备：衬底；多个第1导电层，排列在与衬底的表面交叉的方向；多个第1半导体层，与多个第1导电层对向；第2半导体层，连接在多个第1半导体层的一端部；及电荷累积层，设置在多个第1导电层与多个第1半导体层之间。在编程动作的特定时序，对作为多个第1导电层中的一个的第2导电层供给编程电压或写入路径电压。在所述调整方法中执行第1动作及第2动作，所述第1动作是对第2导电层供给写入路径电压，并对作为多个第1导电层中的一个的第3导电层供给编程电压，所述第2动作是对第2导电层供给小于写入路径电压的验证电压，并对第3导电层供给小于编程电压的电压。

本发明授权半导体存储装置的动作条件的调整方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中 所述半导体存储装置具备： 衬底； 多个第1导电层，排列在与所述衬底的表面交叉的第1方向； 多个第1半导体层，在所述第1方向上延伸，与所述多个第1导电层对向； 第2半导体层，在所述第1方向上与所述衬底隔开，连接在所述多个第1半导体层的所述第1方向的一端部；及 电荷累积层，设置在所述多个第1导电层与所述多个第1半导体层之间；且 在编程动作的特定时序，对作为所述多个第1导电层中的一个的第2导电层供给编程电压或小于所述编程电压的写入路径电压， 在所述调整方法中执行第1动作及第2动作， 所述第1动作是对所述第2导电层供给所述写入路径电压，并对作为所述多个第1导电层中的一个的第3导电层供给所述编程电压， 所述第2动作是对所述第2导电层供给小于所述写入路径电压的验证电压，并对所述第3导电层供给小于所述编程电压的电压， 若将所述多个第1导电层中，最接近所述第2半导体层的多个第1导电层设为多个第4导电层， 则在所述编程动作的特定时序，对所述多个第4导电层供给小于所述写入路径电压的电压， 所述第3导电层是所述多个第4导电层中的一个。

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