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龙图腾网获悉咸阳彩虹光电科技有限公司申请的专利薄膜晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823874B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110117342.1，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权薄膜晶体管及其制备方法是由任佳;吴永良;黄小骅设计研发完成，并于2021-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开一种薄膜晶体管及其制备方法。薄膜晶体管包括：基底；第一金属层，设置在基底上；第一绝缘层，覆盖第一金属层；半导体层，设置在第一绝缘层上且设置有凹槽；透明导电层，设置在半导体层上，且包括位于凹槽两侧的第一透明电极和第二透明电极；第二金属层，设置在透明导电层上，且包括与第一透明电极和第二透明电极分别对应的第一金属电极和第二金属电极；第二绝缘层，设置在第二金属层上，并填充凹槽，第二绝缘层设置有贯穿孔；像素电极，设置在第二绝缘层上，并通过贯穿孔连接第二金属层；第一透明电极和第二透明电极沿沟道方向的距离小于第一金属电极和第二金属电极沿沟道方向的距离。本发明公开的薄膜晶体管可以提高充电效率。

本发明授权薄膜晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括： 基底； 第一金属层，设置在所述基底上，且包括栅电极； 第一绝缘层，设置在所述基底上，且覆盖所述第一金属层； 半导体层，设置在所述第一绝缘层远离所述第一金属层的一侧，且设置有凹槽； 透明导电层，设置在所述半导体层远离所述第一绝缘层的一侧，且包括位于所述凹槽两侧的第一透明电极和第二透明电极； 第二金属层，设置在所述透明导电层远离所述半导体层的一侧，且包括：与所述第一透明电极和所述第二透明电极分别对应的第一金属电极和第二金属电极； 第二绝缘层，设置在所述第二金属层远离所述透明导电层的一侧，并填充所述凹槽，其中所述第二绝缘层设置有贯穿孔；以及 像素电极，设置在所述第二绝缘层远离所述第二金属层的一侧，并通过所述贯穿孔连接所述第二金属层； 其中，所述第一透明电极和所述第一金属电极组成源电极，所述第二透明电极和所述第二金属电极组成漏电极，且所述第一透明电极和所述第二透明电极沿沟道方向的距离小于所述第一金属电极和所述第二金属电极沿所述沟道方向的距离； 所述透明导电层和所述第二金属层经由同一掩膜版进行蚀刻形成所述源电极和所述漏电极。

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