台湾积体电路制造股份有限公司沙哈吉·B·摩尔获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380890B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110034133.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件是由沙哈吉·B·摩尔;钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特;余典卫;蔡家铭设计研发完成，并于2021-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法和半导体器件在说明书摘要公布了：半导体器件包括：栅极结构，设置在沟道区域和源极漏极区域上方。栅极结构包括：栅极介电层，位于沟道区域上方；一个或多个功函调整材料层，位于栅极介电层上方；以及金属栅电极层，位于一个或多个功函调整材料层上方。一个或多个功函调整层包括含铝层，并且扩散阻挡层设置在含铝层的底部和顶部中的至少一个处。扩散阻挡层是富钛层、钛掺杂层、富钽层、钽掺杂层和硅掺杂层中的一个或多个。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
本发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 栅极结构，设置在沟道区域上方；以及 源极漏极区域，其中： 所述栅极结构包括： 栅极介电层，位于所述沟道区域上方； 一个或多个功函调整材料层，位于所述栅极介电层上方；以及 金属栅电极层，位于所述一个或多个功函调整材料层上方； 所述一个或多个功函调整材料层包括含铝层，并且 扩散阻挡层设置在所述含铝层的底部和顶部中的至少一个处，所述扩散阻挡层是具有比所述含铝层的中心更高钽浓度的富钽层、钽掺杂层和硅掺杂层中的一个或多个， 其中，所述含铝层包括钽时，所述扩散阻挡层具有的钽浓度高于所述含铝层的钽浓度；所述含铝层包括硅时，所述扩散阻挡层具有的硅浓度高于所述含铝层的硅浓度，在所述扩散阻挡层和所述含铝层中，所述含铝层的中心部分的所述钽浓度或所述硅浓度是恒定的，所述扩散阻挡层中的所述钽浓度或所述硅浓度在远离所述中心部分的方向上逐渐增大。
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