台湾积体电路制造股份有限公司曹淳凯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利图像传感器结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110037315.3，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器结构及其形成方法是由曹淳凯;卢玠甫设计研发完成，并于2021-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器结构及其形成方法在说明书摘要公布了：在一些实施例中，本公开涉及一种图像传感器结构。所述图像传感器结构包括衬底。衬底包括第一侧及与第一侧相对的第二侧。光电探测器延伸到衬底的第一侧中。隔离结构包括延伸穿过衬底的第一隔离段及第二隔离段。第一隔离段与第二隔离段分别位于光电探测器的相对的侧上且包含介电质。第一金属线位于衬底的第一侧上。虚设接触结构包括第一虚设段及第二虚设段。第一虚设段及第二虚设段二者均包含金属且从第一金属线分别延伸到第一隔离段及第二隔离段。
本发明授权图像传感器结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器结构，包括： 衬底，包括第一侧及与所述第一侧相对的第二侧； 光电探测器，延伸到所述衬底的所述第一侧中； 隔离结构，包括延伸穿过所述衬底的第一隔离段及第二隔离段，其中所述第一隔离段与所述第二隔离段分别位于所述光电探测器的相对的侧上且包含介电质； 第一金属线，位于所述衬底的所述第一侧上；以及 虚设接触结构，包括第一虚设段及第二虚设段，其中所述第一虚设段及所述第二虚设段二者均包含金属且从所述第一金属线分别延伸到所述第一隔离段及所述第二隔离段， 其中所述第一金属线在所述光电探测器的正下方横向延伸以连接所述第一虚设段与所述第二虚设段，且所述光电探测器投射在所述衬底的所述第一侧上的投影面积落入所述第一金属线投射在所述衬底的所述第一侧上的投影面积内。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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