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龙图腾网获悉索泰克公司申请的专利制造用于射频应用的绝缘体上半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930516B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180008062.5，技术领域涉及：H01L21/761；该发明授权制造用于射频应用的绝缘体上半导体结构的方法是由A·戈贝尔;F·阿利伯特;D·马西;I·伯特兰;L·诺里设计研发完成，并于2021-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造用于射频应用的绝缘体上半导体结构的方法在说明书摘要公布了：制造用于射频应用的绝缘体上半导体结构的方法。本发明涉及一种用于制造绝缘体上半导体结构10的方法，方法包括以下步骤：‑提供FD‑SOI衬底1，该衬底1从其底部到其顶部依次包括：单晶衬底2，其具有在500Ω.cm和30kΩ.cm之间的电阻率，在20旧ppma和40旧ppma之间的间隙氧含量Oi，并且具有N型掺杂或P型掺杂；电绝缘层3，电绝缘层3的厚度在20nm和400nm之间；单晶层4，其具有P型掺杂；‑在大于或等于1175℃的温度下对FD‑SOI衬底1热处理大于或等于1小时的时间，以在衬底中形成P‑N结5。本发明还涉及这种绝缘体上半导体结构。

本发明授权制造用于射频应用的绝缘体上半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造绝缘体上半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤： -提供FD-SOI衬底，所述FD-SOI衬底从其底部到其顶部依次包括： ·单晶半导体衬底，所述单晶半导体衬底具有范围在500Ω.cm和30kΩ.cm之间的电阻率，范围在20旧ppma和40旧ppma之间的间隙氧含量，并且具有第一P型掺杂或第一N型掺杂； ·电绝缘层，所述电绝缘层具有范围在20nm和400nm之间的厚度； ·单晶半导体层，所述单晶半导体层具有P型掺杂； -在大于或等于1175℃的温度下对FD-SOI衬底热处理大于或等于1小时的时间，以通过以下方式在所述单晶半导体衬底中在相对于所述电绝缘层的确定深度处形成P-N结，即， ·通过使P型掺杂剂从所述单晶半导体层扩散通过所述FD-SOI衬底中的所述电绝缘层；以及 ·如果所述单晶半导体衬底具有P型掺杂，则通过间隙氧的沉淀在所述单晶半导体衬底中形成热供体； 以在所述单晶半导体衬底中形成在所述单晶半导体衬底的底部与所述P-N结之间延伸的具有N型掺杂的第一区域和位于所述第一区域与所述电绝缘层之间的具有P型掺杂的第二区域。

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