联合微电子中心有限责任公司张舒获国家专利权
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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110014163.5，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其形成方法是由张舒;黄晓橹;陈世杰;张斌设计研发完成，并于2021-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：一种图像传感器及其形成方法，包括：提供半导体衬底；形成像素单元层，所述像素单元层位于所述半导体衬底的表面；在所述像素单元层的表面形成第一微透镜材料层；对所述第一微透镜材料层进行刻蚀，以在第一像素单元的表面形成第一微透镜；形成第二微透镜材料层，所述第二微透镜材料层覆盖所述像素单元层以及第一微透镜；对所述第二微透镜材料层进行刻蚀，以在第二像素单元的表面形成第二微透镜，以及在所述第一微透镜的表面形成补充微透镜；其中，所述第一微透镜材料层的折射率不等于第二微透镜材料层的折射率。本发明可以分别实现PDAF功能和成像功能，有效避免对成像像素单元的成像质量产生影响。
本发明授权图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底； 形成像素单元层，所述像素单元层位于所述半导体衬底的表面，其中，所述像素单元层包括PDAF像素单元以及成像像素单元； 在所述像素单元层的表面形成第一微透镜材料层； 对所述第一微透镜材料层进行刻蚀，以在第一像素单元的表面形成第一微透镜，其中，所述第一像素单元为PDAF像素单元和成像像素单元中的一种； 形成第二微透镜材料层，所述第二微透镜材料层覆盖所述像素单元层以及第一微透镜； 对所述第二微透镜材料层进行刻蚀，以在第二像素单元的表面形成第二微透镜，以及在所述第一微透镜的表面形成补充微透镜，其中，所述第二像素单元为PDAF像素单元和成像像素单元中的另一种； 其中，所述第一微透镜材料层的折射率不等于第二微透镜材料层的折射率；所述第二微透镜的顶部表面的曲率与所述补充微透镜的顶部表面的曲率一致。
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