诺维晶科股份有限公司佐佐木公平获国家专利权
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龙图腾网获悉诺维晶科股份有限公司申请的专利沟槽型MESFET获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114846590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080090078.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权沟槽型MESFET是由佐佐木公平设计研发完成，并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽型MESFET在说明书摘要公布了：提供一种沟槽型MESFET1，具备：n型半导体层11，其包括Ga2O3系单晶，具有在一个面19上开口的多个沟槽12；绝缘体14，其埋入于多个沟槽12各自的底部；栅极电极13，其埋入于多个沟槽12各自的绝缘体14上，在其侧面与n型半导体层11接触；源极电极16，其连接到n型半导体层11的相邻的沟槽12之间的台面形状部18；绝缘体15，其埋入于多个沟槽12各自的栅极电极13上，将栅极电极13与源极电极16绝缘；以及漏极电极17，其直接或间接地连接到n型半导体层11的与源极电极16相反的一侧。
本发明授权沟槽型MESFET在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型MESFET，其特征在于，具备： n型半导体层，其包括Ga2O3系单晶，具有在一个面上开口的多个沟槽； 第1绝缘体，其埋入于上述多个沟槽各自的底部； 栅极电极，其埋入于上述多个沟槽各自的上述第1绝缘体上，在其侧面与上述n型半导体层接触； 源极电极，其连接到上述n型半导体层的相邻的上述沟槽之间的台面形状部； 第2绝缘体，其埋入于上述多个沟槽各自的上述栅极电极上，将上述栅极电极与上述源极电极绝缘；以及 漏极电极，其直接或间接地连接到上述n型半导体层的与上述源极电极相反的一侧， 上述n型半导体层中的、上述沟槽的底与上述n型半导体层的底面之间的区域的耐压层的施主浓度为7×1016cm-3以下， 上述第1绝缘体的厚度处于50nm以上且300nm以下的范围内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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