买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利隔离结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582792B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011375473.1，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权隔离结构及其制造方法是由许哲睿;童盈辅;吕俊昇;李沐霖设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本隔离结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种沟渠隔离结构及其制造方法。隔离结构的制造方法包括：在衬底的表面形成沟渠；在衬底上形成具有连通于沟渠的开口的掩模图案；在彼此连通的开口与沟渠中填入第一隔离材料层，其中第一隔离材料层的表面定义出第一凹陷；将第二隔离材料层填入第一凹陷；部分移除第一与第二隔离材料层，以形成第二凹陷；执行第一斜向离子植入工艺，以至少在第一隔离材料层中形成第一破坏区；执行第二斜向离子植入工艺，以至少在第一隔离材料层中形成第二破坏区；进行去耦合等离子处理，以将第一与第二破坏区的一部分转变为相对于破坏区而具有刻蚀选择性的保护层；以及移除破坏区。

本发明授权隔离结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种隔离结构的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底的表面形成沟渠； 在所述衬底上形成掩模图案，其中所述掩模图案具有连通于所述沟渠的开口； 在所述沟渠与所述开口中填入第一隔离材料层，其中所述第一隔离材料层的表面定义出第一凹陷； 将第二隔离材料层填入所述第一凹陷； 移除所述第二隔离材料层的一部分与所述第一隔离材料层的一部分，以在所述掩模图案的所述开口中形成第二凹陷； 执行第一离子植入工艺，以使第一离子从所述第二凹陷的第一侧斜向入射所述第二凹陷，以至少在所述第一隔离材料层中形成第一破坏区； 执行第二离子植入工艺，以使第二离子从所述第二凹陷的第二侧斜向入射所述第二凹陷，以至少在所述第一隔离材料层中形成第二破坏区，其中所述第二凹陷的所述第一侧与所述第二侧彼此相对； 进行去耦合等离子处理，以将所述第一破坏区的一部分与所述第二破坏区的一部分转变为保护层，其中所述保护层具有相对于所述第一破坏区与所述第二破坏区的刻蚀选择性；以及 移除所述第一破坏区与所述第二破坏区，其中所述隔离结构至少包括剩余的所述第一隔离材料层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华邦电子股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾台中市大雅区科雅一路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。