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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有铁电随机存取存储器和可调电容器的片上系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130490B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011331585.7，技术领域涉及：H10B53/00；该发明授权具有铁电随机存取存储器和可调电容器的片上系统是由杨世海;徐志安;王晨晨设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有铁电随机存取存储器和可调电容器的片上系统在说明书摘要公布了：本公开涉及具有铁电随机存取存储器和可调电容器的片上系统。一种半导体器件，包括：衬底；第一电介质层，位于衬底之上；存储器单元，位于半导体器件的第一区域中的衬底之上，其中，存储器单元包括第一电介质层中的第一铁电结构，其中，第一铁电结构包括第一底部电极、第一顶部电极和介于这两者之间的第一铁电层；以及可调谐电容器，位于半导体器件的第二区域中的衬底之上，其中，可调谐电容器包括第二铁电结构，其中，第二铁电结构包括第二底部电极、第二顶部电极和介于这两者之间的第二铁电层，其中，第二铁电结构的至少一部分位于第一电介质层中。

本发明授权具有铁电随机存取存储器和可调电容器的片上系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底； 第一电介质层，位于所述衬底之上； 存储器单元，位于所述半导体器件的第一区域中的所述衬底之上，其中，所述存储器单元包括所述第一电介质层中的第一铁电结构，其中，所述第一铁电结构包括第一底部电极、第一顶部电极和介于这两者之间的第一铁电层；以及 可调谐电容器，位于所述半导体器件的第二区域中的所述衬底之上，其中，所述可调谐电容器包括第二铁电结构，其中，所述第二铁电结构包括第二底部电极、第二顶部电极和介于这两者之间的第二铁电层，其中，所述第二铁电结构的至少一部分位于所述第一电介质层中， 其中，所述第一顶部电极和所述第一底部电极具有相同的尺寸，其中，所述第二顶部电极小于所述第二底部电极， 其中，所述半导体器件还包括： 第一导电特征和第二导电特征，位于所述半导体器件的所述第一区域中的所述衬底之上，其中，所述第一导电特征位于所述第一顶部电极之上并与所述第一顶部电极接触，并且所述第二导电特征位于所述第一底部电极之下并与所述第一底部电极接触； 第三导电特征、第四导电特征和第五导电特征，位于所述半导体器件的所述第二区域中的所述衬底之上，其中，所述第三导电特征位于所述第二顶部电极之上并与所述第二顶部电极接触，所述第四导电特征位于所述第二底部电极远离所述衬底的上表面之上并与该上表面接触，并且所述第五导电特征位于所述第二底部电极面对所述衬底的下表面之下并与该下表面接触。

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