科磊股份有限公司A·塞兹希内尔获国家专利权
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龙图腾网获悉科磊股份有限公司申请的专利使用卷积上下文属性以寻找半导体缺陷获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114651172B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080077797.9，技术领域涉及：G01N21/88；该发明授权使用卷积上下文属性以寻找半导体缺陷是由A·塞兹希内尔;G·罗素;M·玛里亚潘设计研发完成，并于2020-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用卷积上下文属性以寻找半导体缺陷在说明书摘要公布了：计算用于半导体裸片的图案化层的光学成像的上下文属性。计算所述上下文属性包含计算所述图案化层的图案与多个核心的相应核心的卷积，其中所述多个核心是正交的。根据所述上下文属性寻找所述半导体裸片上的缺陷。
本发明授权使用卷积上下文属性以寻找半导体缺陷在权利要求书中公布了：1.一种方法，其包括： 计算用于半导体裸片的图案化层的光学成像的上下文属性，其包括计算所述图案化层的图案与多个核心的相应核心的卷积，其中所述多个核心是正交的；及 根据所述上下文属性寻找所述半导体裸片上的缺陷，其包括： 使所述半导体裸片光学成像以产生目标图像； 比较所述半导体裸片的所述目标图像与所述半导体裸片的参考图像以产生所述半导体裸片的差异图像； 至少部分基于所述上下文属性针对所述半导体裸片的不同部分调整缺陷检测过滤器； 使用所述缺陷检测过滤器检测所述差异图像中的缺陷；及 存储经检测的所述缺陷的列表。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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