牛芯半导体(深圳)有限公司赖礼俊获国家专利权
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龙图腾网获悉牛芯半导体(深圳)有限公司申请的专利电容版图结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834359B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010768605.0，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权电容版图结构是由赖礼俊;刘寅;唐重林设计研发完成，并于2020-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容版图结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电容版图结构，包括，衬底；隔离区，所述衬底上设有隔离区，所述隔离区用于隔离来自所述衬底的噪声；电容单元，所述电容单元设于所述隔离区背离所述衬底的一侧；掺杂区，所述衬底上设有所述掺杂区，且围绕所述隔离区设置。本发明实施例提供了一种高抗噪音干扰性能的电容版图结构。
本发明授权电容版图结构在权利要求书中公布了：1.一种电容版图结构，其特征在于，包括： 衬底； 隔离区，所述衬底上设有所述隔离区，所述隔离区用于隔离外部噪声对电容单元的影响； 所述电容单元，所述电容单元设于所述隔离区背离所述衬底的一侧； 掺杂区，所述衬底上设有所述掺杂区，所述掺杂区围绕所述隔离区设置；所述掺杂区包括N型半导体区以及与所述N型半导体区的侧壁邻接的P型半导体区，所述N型半导体区以及所述P型半导体区围绕所述隔离区设置，以隔离来自外部的噪声；所述N型半导体区上设有第一接电位区，所述P型半导体区上设有第二接电位区，所述第一接电位区连接电源，所述第二接电位区接地，所述第一接电位区以及所述第二接电位区均围绕所述隔离区设置； 所述电容单元包括多个电容；所述电容版图结构包括层叠设置的多个金属层，多个所述金属层的层间或侧壁之间设有绝缘介质，以使相连的所述金属层的层间或相邻的侧壁之间形成多个所述电容； 所述电容包括MOMMetal-Oxide-Metal电容，多个所述金属层包括第0层金属至第N层金属，N为正整数，所述第0层金属靠近所述隔离区设置，所述第0层金属至所述第N层金属之间的任意一层供偏置电压加载。
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