美光科技公司谢廷俊获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利使用错误率随时间变化的存储器的边界错误统计数据的自适应读取电压调整获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114127691B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080050542.3，技术领域涉及：G06F11/10；该发明授权使用错误率随时间变化的存储器的边界错误统计数据的自适应读取电压调整是由谢廷俊;陈振刚设计研发完成，并于2020-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用错误率随时间变化的存储器的边界错误统计数据的自适应读取电压调整在说明书摘要公布了：一种处理装置配置成：识别存储器组件的多个写读延迟范围中的第一范围；识别所述第一范围的第一端处的第一组所述多个写读延迟时间和所述第一范围的第二端处的第二组所述多个写读延迟时间；确定所述存储器组件的对应于所述第一组所述多个写读延迟时间的第一错误率和所述存储器组件的对应于所述第二组所述多个写读延迟时间的第二错误率；确定所述第一错误率和所述第二错误率之间的对应关系是否满足第一阈值准则；以及修改与所述第一范围相关联的所述读取电压电平。
本发明授权使用错误率随时间变化的存储器的边界错误统计数据的自适应读取电压调整在权利要求书中公布了：1.一种存储器系统，其包括： 存储器组件；以及 处理装置，其以操作方式与所述存储器组件耦合，并进行以下操作： 识别所述存储器组件的多个写读延迟范围中的第一范围，其中所述第一范围表示多个写读延迟时间，且其相关联的读取电压电平用于对具有处于所述第一范围的写读延迟时间的所述存储器组件的片段执行读取操作； 识别所述第一范围的第一端处的第一组所述多个写读延迟时间和所述第一范围的第二端处的第二组所述多个写读延迟时间； 确定所述存储器组件的对应于所述第一组所述多个写读延迟时间的第一错误率和所述存储器组件的对应于所述第二组所述多个写读延迟时间的第二错误率； 确定所述第一错误率和所述第二错误率之间的对应关系是否满足第一阈值准则；以及 响应于所述第一错误率和所述第二错误率之间的所述对应关系不满足所述第一阈值准则，修改与所述第一范围相关联的所述读取电压电平。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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