深圳市中兴微电子技术有限公司梁苇超获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市中兴微电子技术有限公司申请的专利一种片上缓存装置和读写方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113535633B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010306644.9,技术领域涉及:G06F15/78;该发明授权一种片上缓存装置和读写方法是由梁苇超;仲建锋;胡达;陈昌胜;徐东国;陆健锋设计研发完成,并于2020-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种片上缓存装置和读写方法在说明书摘要公布了:本申请提出了一种片上缓存装置和读写方法,其中,该装置包括:读写处理模块、高速缓存模块和存储器模块;其中,读写处理模块分别与高速缓存模块和存储器模块连接,读写处理模块用于将报文存储到高速缓存模块和存储器模块,读取高速缓存模块和存储器模块存储的报文,以及将高速缓存模块中缓存的报文转存到存储器模块;高速缓存模块,通过读写处理模块与存储器模块连接,高速缓存模块包括至少一个缓存寄存器,用于临时缓存报文;存储器模块,与读写处理模块连接,用于转存高速缓存模块缓存的报文。通过缓存多个报文实现同时写入缓存器,提高芯片存储空间利用率,降低存储面积减少芯片功耗。
本发明授权一种片上缓存装置和读写方法在权利要求书中公布了:1.一种片上缓存装置,其特征在于,所述装置包括: 读写处理模块、高速缓存模块和存储器模块; 其中,所述读写处理模块分别与所述高速缓存模块和所述存储器模块连接,所述读写处理模块用于将报文存储到所述高速缓存模块和所述存储器模块,读取所述高速缓存模块和所述存储器模块存储的报文,以及将所述高速缓存模块中缓存的报文转存到所述存储器模块; 所述高速缓存模块,通过所述读写处理模块与所述存储器模块连接,所述高速缓存模块包括至少一个缓存寄存器组,每个所述缓存寄存器组中包括多个缓存寄存器,用于临时缓存报文,其中,所述缓存寄存器组的数量通过缓存寄存器描述符读出延迟拍数和预留突发处理数确定; 所述存储器模块,与所述读写处理模块连接,用于转存所述高速缓存模块缓存的报文,所述存储器模块中存储单元的数量通过访问源读写总线位宽和报文长度确定,所述存储器模块中寄存器为单访问总线存储器。
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