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龙图腾网获悉科磊股份有限公司申请的专利多层莫尔目标及其在测量半导体装置的偏移中的使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114008754B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080041780.8，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权多层莫尔目标及其在测量半导体装置的偏移中的使用方法是由Y·弗莱;M·吉诺乌克设计研发完成，并于2020-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本多层莫尔目标及其在测量半导体装置的偏移中的使用方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于计算形成于半导体装置晶片上的至少第一层、第二层与第三层之间的偏移的多层莫尔目标，其包含周期性结构堆叠的至少一个群组，所述至少一个群组各自包含：第一堆叠，其包含第一堆叠第一周期性结构S1P1，所述S1P1沿着第一轴具有S1P1间距；第二堆叠，其包含第二堆叠第一周期性结构S2P1，所述S2P1沿着第二轴具有S2P1间距；及第三堆叠，其包含第三堆叠第一周期性结构S3P1，所述S3P1沿着第三轴具有S3P1间距；所述第一轴平行于x轴或y轴，且所述堆叠中的至少一者包含第二周期性结构，所述第二周期性结构沿着至少一个第四轴具有第二周期性结构间距，所述至少一个第四轴平行于所述第一轴且与所述轴中的一者同轴。

本发明授权多层莫尔目标及其在测量半导体装置的偏移中的使用方法在权利要求书中公布了：1.一种用于计算至少第一层、第二层与第三层之间的偏移的多层莫尔目标，所述第一层、所述第二层及所述第三层形成于半导体装置晶片上，所述半导体装置晶片界定x-y平面，所述多层莫尔目标包括： 周期性结构堆叠的至少一个群组，所述至少一个群组中的每一者包括： 周期性结构的第一堆叠，其至少包括第一堆叠第一周期性结构S1P1，所述S1P1与所述第一层、所述第二层及所述第三层中的至少一者一起形成，所述S1P1沿着第一轴具有S1P1间距； 周期性结构的第二堆叠，其至少包括第二堆叠第一周期性结构S2P1，所述S2P1与所述第一层、所述第二层及所述第三层中的至少一者一起形成，所述S2P1沿着第二轴具有S2P1间距；及 周期性结构的第三堆叠，其至少包括第三堆叠第一周期性结构S3P1，所述S3P1与所述第一层、所述第二层及所述第三层中的至少一者一起形成，所述S3P1沿着第三轴具有S3P1间距， 当所述目标在所述x-y平面中成像时，所述第一轴平行于x轴或y轴； 当所述目标在所述x-y平面中成像时，所述第二轴及所述第三轴平行于所述第一轴，且 所述第一堆叠、所述第二堆叠及所述第三堆叠中的至少一者包括第二周期性结构，所述第二周期性结构沿着至少一个第四轴具有第二周期性结构间距， 当所述目标在所述x-y平面中成像时，所述至少一个第四轴平行于所述第一轴且与所述第一轴、所述第二轴及所述第三轴中的一者同轴。

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