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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利制造多个芯片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111599713B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010098584.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权制造多个芯片的方法是由武田昇;荒川太朗设计研发完成，并于2020-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造多个芯片的方法在说明书摘要公布了：提供制造多个芯片的方法，与通过仅对被加工物施加拉伸应力或基于负荷的应力而进行被加工物的分割的情况相比，降低产生加工不良的可能性。该制造多个芯片的方法具有如下的步骤：粘贴步骤，在被加工物上粘贴具有扩展性的带；盾构隧道形成步骤，按照将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲状的激光束的聚光区域定位于被加工物的内部的方式从被加工物的背面侧沿着各分割预定线照射该激光束，从而沿着各分割预定线形成分别具有细孔和围绕该细孔的变质区域的多个盾构隧道；以及分割步骤，在盾构隧道形成步骤之后，经由液体向该被加工物施加超声波并进行该带的扩展，从而沿着多条分割预定线将被加工物分割。

本发明授权制造多个芯片的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造多个芯片的方法，该方法将在正面侧具有由相互交叉的多条分割预定线划分的多个区域的被加工物沿着该多条分割预定线进行分割而制造多个芯片，其特征在于， 该方法具有如下的步骤： 粘贴步骤，在该被加工物和环状框架上粘贴具有扩展性的带，由此在该被加工物配置于该环状框架的开口部的状态下，形成该被加工物借助该带与该环状框架而一体化的被加工物单元； 盾构隧道形成步骤，按照将对于该被加工物具有透过性的波长的脉冲状的激光束的聚光区域定位于该被加工物的内部的方式从该被加工物的背面侧沿着各分割预定线照射该激光束，从而沿着各分割预定线形成分别具有细孔和围绕该细孔的变质区域的多个盾构隧道；以及 分割步骤，在该盾构隧道形成步骤之后，在设置于容器内的多个腿部上固定该环状框架之后，通过该多个腿部的伸缩来调整该被加工物单元的高度位置，由此经由将该被加工物单元定位于比充满至距该容器的底部规定的高度位置的液体的水位低的位置的状态下的该液体向该被加工物施加超声波并利用从下方将该带顶起的顶起装置进行该带的扩展，从而沿着该多条分割预定线将该被加工物分割。

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