辉达公司A·潘迪获国家专利权
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龙图腾网获悉辉达公司申请的专利用于DRAM控制器的高性能内联ECC架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111831404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910801524.3，技术领域涉及：G06F9/46；该发明授权用于DRAM控制器的高性能内联ECC架构是由A·潘迪;J·古谱塔;K·阿加瓦尔;J·班尼特;S·S·K·玛杜古拉设计研发完成，并于2019-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于DRAM控制器的高性能内联ECC架构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于DRAM控制器的高性能内联ECC架构。具体公开了用于减少向存储器读取和写入数据所需的时间的技术。当用于检测和或纠正数据损坏的纠错码ECC位被写入存储器时，可以延迟数据读取和或写入。在某些情况下写入ECC位可能比写入数据位要花费更长时间，因为ECC写入可能涉及读取修改写入操作，而不是简单地将位写入存储器。通过将ECC写入与数据写入交错，可以隐藏与写入ECC位相关联的一些延时。然而，如果没有足够的数据写入可用于交错，则隐藏这种延时变得困难。因此，例如公开了各种技术，其中ECC写入被推迟，直到足够数量的数据写入变得可用于交错。通过交错ECC写入，所公开的技术减少了将向存储器读取和写入数据所需的总时间。
本发明授权用于DRAM控制器的高性能内联ECC架构在权利要求书中公布了：1.一种计算机实现的方法，包括： 确定在写入事务被调度以执行的第一时间段期间，没有足够数量的待处理写入事务能够用于掩蔽与第一纠错码ECC写入事务相关联的一个或更多个延时； 响应于确定没有足够数量的待处理写入事务可用，在所述第一时间段期间阻止所述第一ECC写入事务被调度以执行； 确定在写入事务被调度以执行的第二时间段期间，有足够数量的待处理写入事务能够用于掩蔽一个或更多个延时；以及 响应于确定有足够数量的待处理写入事务可用，在所述第二时间段期间调度所述第一ECC写入事务以执行。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人辉达公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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