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龙图腾网获悉陕西源杰半导体科技股份有限公司申请的专利一种波导耦合集成光电二极管的半导体激光器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120127495B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510615586.0，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种波导耦合集成光电二极管的半导体激光器结构是由绳梦伟;李马惠;剌晓波;王玮设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种波导耦合集成光电二极管的半导体激光器结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种波导耦合集成光电二极管的半导体激光器结构，属于半导体光电子技术领域，能够解决现有半导体激光器无法实现实时功率监测的问题。所述半导体激光器结构包括：衬底；双异质结结构，形成在衬底上；P型盖层，形成在双异质结结构上，其上表面设置有电隔离沟道，电隔离沟道将P型盖层的顶部分隔成多个凸起区；欧姆接触层，形成在P型盖层上，其包括多个欧姆接触区，欧姆接触区与凸起区一一对应；N面电极，设置在衬底远离双异质结结构的一侧表面；P面电极，设置在欧姆接触层上，其包括多个子电极，子电极与欧姆接触区一一对应；其中一个子电极上加载正向电压，其余子电极上加载反向电压。本发明用于半导体激光器结构。

本发明授权一种波导耦合集成光电二极管的半导体激光器结构在权利要求书中公布了：1.一种波导耦合集成光电二极管的半导体激光器结构，其特征在于，包括： 衬底； 双异质结结构，形成在所述衬底上； P型盖层，形成在所述双异质结结构上，其上表面设置有电隔离沟道，所述电隔离沟道将所述P型盖层的顶部分隔成多个凸起区； 欧姆接触层，形成在所述P型盖层上，其包括多个欧姆接触区，所述欧姆接触区与所述凸起区一一对应； N面电极，设置在所述衬底远离所述双异质结结构的一侧表面； P面电极，设置在所述欧姆接触层上，其包括多个子电极，所述子电极与所述欧姆接触区一一对应；其中一个所述子电极上加载正向电压，其余所述子电极上加载反向电压； 波导耦合层，形成在所述衬底上； 间隔层，形成在所述波导耦合层上；所述双异质结结构形成在所述间隔层上； 电注入阻挡层，设置在所述双异质结结构上，用于将所述双异质结结构分隔成多个双异质结区，所述双异质结区与所述凸起区一一对应；加载正向电压的子电极对应的双异质结区记为第一双异质结区，其余双异质结区记为第二双异质结区；所述第一双异质结区为长条状；所述第一双异质结区与每个所述第二双异质结区之间的距离均在0.2μm~20μm之间。

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