广东气派科技有限公司;东莞职业技术学院杨振获国家专利权
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龙图腾网获悉广东气派科技有限公司;东莞职业技术学院申请的专利Si基SiC-Si外延片结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223182566U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422347366.8，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型Si基SiC-Si外延片结构是由杨振;虞骐睿;喻安东;孙少林;庞琳铃;谭姗姗;陈佳缘;高爽;王元元设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本Si基SiC-Si外延片结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种Si基SiC‑Si外延片结构，其包括衬底以及依次沉积在所述衬底上的外延层，所述衬底为重掺杂Si衬底；所述外延层包括SiC外延层和Si外延层，所述SiC外延层位于所述重掺杂Si衬底之上，所述Si外延层位于所述SiC外延层之上。本实用新型是把器件做在Si外延层，大幅降低了SiC器件制作成本和难度，对于22kV高压器件仅需SiC外延层厚度约20um100Vum作为耐压漂移层，Si外延层上制作低压功率器件；此外，本申请的外延片结构为Si‑SiC‑Si的三层夹心结构，有利于晶格失配应力的相互抵消，改善外延片的翘曲度；同时，SiC‑Si之间异质结有利于必要的载流子密度控制。
本实用新型Si基SiC-Si外延片结构在权利要求书中公布了：1.一种Si基SiC-Si外延片结构，其特征在于：包括衬底以及依次沉积在所述衬底上的外延层，所述衬底为重掺杂Si衬底；所述外延层包括SiC外延层和Si外延层，所述SiC外延层位于所述重掺杂Si衬底之上，所述Si外延层位于所述SiC外延层之上。
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