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龙图腾网获悉北京燕东微电子科技有限公司申请的专利双栅氧MOS结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223182567U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422359527.5，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型双栅氧MOS结构是由孙楠;于江勇;李静怡;代佳;晋孟佳设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本双栅氧MOS结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种双栅氧MOS结构，包括衬底、高压阱区、低压阱区；低压阱区包括位于其表面的薄栅氧层和低压侧栅极、以及位于其内部且位于低压侧栅极两侧的低压侧源漏区，高压阱区包括位于表面的高压侧栅氧层和高压侧栅极、位于其内部的漂移区、位于高压侧栅氧层两侧的高压侧源漏区；高压侧栅氧层包括沿栅长方向交叠设置的厚栅氧层和第一场氧化层，其仅覆盖高压侧栅极，而非覆盖整个高压阱区，使得后续制作多晶硅栅极的过程中，高压侧栅极对应的区域存在较厚的膜层，在刻蚀多晶硅层形成两个栅极时，其它区域的残膜差异较小，从而能够准确地控制LDD注入、源漏区的注入剂量和深度，进而提高双栅氧MOS结构的电性能以及可靠性。

本实用新型双栅氧MOS结构在权利要求书中公布了：1.一种双栅氧MOS结构，其特征在于，包括： 衬底，包括低压区和高压区，所述低压区内设有自衬底一侧表面向所述衬底内延伸的低压阱区，所述高压区内设有自衬底一侧表面向所述衬底内延伸的高压阱区，所述低压阱区和所述高压阱区间隔设置； 位于所述低压区的低压MOS器件，包括层叠设置于低压阱区表面的薄栅氧层和低压侧栅极、以及位于低压阱区内的低压侧源区和低压侧漏区，且所述低压侧源区和所述低压侧漏区分别位于所述低压侧栅极两侧； 位于所述高压区的高压MOS器件，包括层叠设置于高压阱区表面的高压侧栅氧层和高压侧栅极、设置于所述高压阱区内的漂移区、以及位于所述高压阱区内的高压侧源区和高压侧漏区，所述高压侧源区位于所述漂移区外，所述高压侧漏区位于所述漂移区内，且所述高压侧源区和所述高压侧漏区分别位于高压侧栅氧层两侧； 其中，所述高压侧栅氧层包括沿栅长方向交叠设置的厚栅氧层和第一场氧化层，所述厚栅氧层的厚度大于所述薄栅氧层的厚度，所述第一场氧化层的厚度大于所述厚栅氧层的厚度；所述高压侧栅极在衬底表面的正投影位于所述高压侧栅氧层在衬底表面的正投影内。

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