芯恩(青岛)集成电路有限公司刘莹获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种半导体工艺装置及离子注入设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223181087U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422346723.9，技术领域涉及：H01L21/67；该实用新型一种半导体工艺装置及离子注入设备是由刘莹;牛秋燕;侯晓雪;刘科设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体工艺装置及离子注入设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体工艺装置及离子注入设备，半导体工艺装置中存储腔体内壁材料有钨；第一进气通道通入含卤素的离子注入工艺气体，第二进气通道通入保护气体；气体混匀结构将通入气体混匀；流速控制结构控制离子注入工艺气体和保护气体进入存储腔体的流速，以控制存储腔体内离子注入工艺气体和保护气体的比例。本实用新型控制第一进气通道和第二进气通道进气流速，控制存储腔体内解离金属污染最少，提高离子注入工艺良率并降低解离金属污染监测需求；同时设置气体混匀结构混匀通入气体，减少产生的解离金属污染；另外设置叶扇的位置保证气体混匀效果；最后设置存储腔体外壳材料，避免存储腔体的变形，提高结构稳定性。
本实用新型一种半导体工艺装置及离子注入设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺装置，其特征在于，所述半导体工艺装置包括：存储腔体、第一进气通道、第二进气通道、出气通道、流速控制结构和气体混匀结构；所述存储腔体的内壁材料包含钨； 所述第一进气通道、所述第二进气通道均与所述存储腔体连通，所述第一进气通道用于通入含卤素的离子注入工艺气体，所述第二进气通道用于通入保护气体；所述气体混匀结构位于所述存储腔体内，用于将所述第一进气通道通入的离子注入工艺气体和所述第二进气通道通入的保护气体混匀；所述出气通道与所述存储腔体连通，用于将所述存储腔体内所述气体混匀结构混匀后的气体从所述存储腔体排出至离子注入工艺腔室； 所述流速控制结构用于实时控制所述第一进气通道进入的离子注入工艺气体和所述第二进气通道的保护气体进入所述存储腔体的流速，以实时控制所述存储腔体内所述离子注入工艺气体和所述保护气体的比例。
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