浙江摩珂达半导体有限公司高博获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江摩珂达半导体有限公司申请的专利一种碳化硅功率器件的封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223181136U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422323893.5，技术领域涉及：H01L23/373；该实用新型一种碳化硅功率器件的封装结构是由高博;费晨曦;刘文平;张志新设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅功率器件的封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种碳化硅功率器件的封装结构，属于器件封装技术领域，该碳化硅功率器件的封装结构以及封装方法包括PCB板主体以及固定在PCB板主体顶端的外壳，所述PCB板主体的底端设置有DBC基板，且PCB板主体的中心位置处内嵌固定有PCB板底层第一焊盘，所述PCB板底层第一焊盘的一端对称开设有PCB板过孔，且PCB板底层第一焊盘的另一端分别开设有PCB板第一窗口和PCB板第二窗口，其中PCB板底层第一焊盘上方设置有PCB板顶层铜箔。该碳化硅功率器件的封装结构以及封装方法的封装结构和方法通过优化布局和材料选择，显著提升了碳化硅功率器件的性能和可靠性，同时简化了制造过程。
本实用新型一种碳化硅功率器件的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率器件的封装结构，该碳化硅功率器件的封装结构以及封装方法包括PCB板主体3以及固定在PCB板主体3顶端的外壳4，其特征在于，所述PCB板主体3的底端设置有DBC基板1，且PCB板主体3的中心位置处内嵌固定有PCB板底层第一焊盘11，所述PCB板底层第一焊盘11的一端对称开设有PCB板过孔12，且PCB板底层第一焊盘11的另一端分别开设有PCB板第一窗口13和PCB板第二窗口14，其中PCB板底层第一焊盘11上方设置有PCB板顶层铜箔20。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江摩珂达半导体有限公司，其通讯地址为：314000 浙江省嘉兴市高照街道康和路1288号嘉兴光伏科创园1幢1513-35室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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