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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司申请的专利一种高精度电流传感器、电路结构及芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223180285U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422324278.6，技术领域涉及：G01R19/00；该实用新型一种高精度电流传感器、电路结构及芯片是由姜帅;杜君;李腾浩;孙恒超;方东明;臧志成;王浩;李佩笑;刘紫威;王蔓蓉;季润可;陶毅;周娴姊;李岩;王志强设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高精度电流传感器、电路结构及芯片在说明书摘要公布了：本公开涉及电力系统电流测量技术领域，具体涉及一种高精度电流传感器、电路结构及芯片，在所述高精度电流传感器中，通过在原有TMR惠斯通电桥的基础上添加了一个精密电阻惠斯通电桥，采用了4个阻值相同的精密电阻，使得4个精密电阻分别并联在原有TMR惠斯通电桥中4个TMR单元的两端，且精密电阻的阻值小于TMR单元的阻值。本公开削弱了由于TMR单元的阻值的不匹配造成的零偏，同时也衰减了由于温度造成的温偏，且由于精密电阻的阻值不受磁场的影响，故由于TMR元件的磁滞带来的影响也被大大减小了，从而实现了有效减小了零偏、温漂与磁滞的高精度电流传感器。

本实用新型一种高精度电流传感器、电路结构及芯片在权利要求书中公布了：1.一种高精度电流传感器，其特征在于，包括：磁敏感单元，所述磁敏感单元包括：输入端、输出端、隧穿磁阻TMR惠斯通电桥和精密电阻惠斯通电桥； 所述TMR惠斯通电桥包括：第一TMR单元、第二TMR单元、第三TMR单元、第四TMR单元，所述第一TMR单元、所述第二TMR单元、所述第三TMR单元、所述第四TMR单元连接以构成所述TMR惠斯通电桥的桥臂； 所述精密电阻惠斯通电桥包括：阻值相同的第一精密电阻、第二精密电阻、第三精密电阻、第四精密电阻，所述第一精密电阻、所述第二精密电阻、所述第三精密电阻、所述第四精密电阻连接以构成所述精密电阻惠斯通电桥的桥臂； 其中，所述TMR惠斯通电桥和所述精密电阻惠斯通电桥连接，使得所述第一精密电阻并联在所述第一TMR单元的两端，所述第二精密电阻并联在所述第二TMR单元的两端，所述第三精密电阻并联在所述第三TMR单元的两端，所述第四精密电阻并联在所述第四TMR单元的两端，所述TMR惠斯通电桥和所述精密电阻惠斯通电桥具有相同的电桥输入端和电桥输出端； 所述电桥输入端连接所述输入端后与电源相连接，所述电桥输出端连接所述输出端；所述精密电阻的阻值小于所述TMR单元的阻值。

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