华虹半导体(无锡)有限公司涂怀德获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利一种灯丝和阴极组件及包括其的离子注入机用离子源获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223181074U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422298571.X，技术领域涉及：H01J37/04；该实用新型一种灯丝和阴极组件及包括其的离子注入机用离子源是由涂怀德;胡浩;冯存根;马富林设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种灯丝和阴极组件及包括其的离子注入机用离子源在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种灯丝和阴极组件及包括其的离子注入机用离子源，灯丝置于阴极内，其中，阴极包括主体，所述主体形成为端敞口的筒状结构，所述主体的底壁厚度占所述主体长度的9.2228至9.2227，以及9.2227至10.4227；所述灯丝距所述底壁的内表面之间的距离占所述主体的深度的117.78至0.617.58。本实用新型通过提供一种灯丝和阴极组件，并合理设置灯丝与阴极的底壁的内表面之间的距离，以及底壁的壁厚占阴极总长度的占比，使得阴极被减薄击穿的时间延长，从而能有效保护灯丝的时间延长，有利于延长灯丝的使用寿命，提高离子注入机的产出与利用率。
本实用新型一种灯丝和阴极组件及包括其的离子注入机用离子源在权利要求书中公布了：1.一种灯丝和阴极组件，灯丝置于阴极内，其特征在于，所述阴极包括主体，所述主体形成为端敞口的筒状结构，所述主体的底壁厚度占所述主体长度的9.2228至9.2227，以及9.2227至10.4227； 所述灯丝距所述底壁的内表面之间的距离占所述主体的深度的117.78至0.617.58。
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