南昌大学全祖赐获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌大学申请的专利一种单/双波段可切换的太赫兹吸收器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411274514.6，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权一种单/双波段可切换的太赫兹吸收器是由全祖赐;万逢;周润宇;王宜芮;李年保;方嘉豪;汤浩;贾祺设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单/双波段可切换的太赫兹吸收器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种单双波段可切换的太赫兹吸收器，包括依次层叠的反射层、介质层以及图案层，其中：图案层包括第一金属圆环层、第二金属圆环层以及至少一个VO2层，第一金属圆环层、第二金属圆环层与VO2层的底部平齐，并分别与介质层接触，第一金属圆环层设于第二金属圆环层内，任一VO2层的一侧与第一金属圆环层的外侧壁接触，任一VO2层的另一侧与第一金属圆环层的内侧壁接触。本发明能够在单双波段之间自由切换，并且具有结构简、偏振不敏感以及广角吸收等优点，满足在THz通信、传感、隐身、调制等领域的应用要求。
本发明授权一种单/双波段可切换的太赫兹吸收器在权利要求书中公布了：1.一种谐振器单元，其特征在于，包括依次层叠的反射层、介质层以及图案层，其中： 所述图案层包括第一金属圆环层、第二金属圆环层以及至少一个VO2层，所述第一金属圆环层、所述第二金属圆环层与所述VO2层的底部平齐，并分别与所述介质层接触，所述第一金属圆环层设于所述第二金属圆环层内，任一所述VO2层的一侧与所述第一金属圆环层的外侧壁接触，任一所述VO2层的另一侧与所述第一金属圆环层的内侧壁接触；所述第一金属圆环层的圆心、所述第二金属圆环层的圆心以及所述介质层上表面的中心均为同一点；所述VO2层的数量为四个，所述VO2层等间距设置在所述第一金属圆环层和所述第二金属圆环层之间，所述VO2层呈扇形，所述VO2层的扇形角度范围为50°-70°。
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