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龙图腾网获悉苏州达晶微电子有限公司申请的专利整流二极管器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223181139U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422139288.2，技术领域涉及：H01L23/488；该实用新型整流二极管器件是由廖兵;沈礼福;张明志设计研发完成，并于2024-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本整流二极管器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种整流二极管器件，包括：水平设置的二极管芯片、上电极、下电极和包覆于二极管芯片外侧的环氧封装体，所述上电极的上连接部下方形成有一上减薄区，所述下电极的下连接部上方形成有一下减薄区，所述二极管芯片位于上减薄区与下减薄区内，所述上连接部的下表面和或下连接部的上表面并位于二极管芯片的外侧设置有一平行于二极管芯片的边缘处设置的凹槽，所述二极管芯片分别通过一位于凹槽内侧的焊接层与上连接部、下连接部焊接连接。本实用新型既可以提高散热的效率和均匀性，又可以减小封装体内部的应力，还可以提高芯片边缘处与环氧的结合力，从而提升器件的使用寿命和电气性能。

本实用新型整流二极管器件在权利要求书中公布了：1.一种整流二极管器件，包括：水平设置的二极管芯片（1）、上电极（2）、下电极（3）和包覆于二极管芯片（1）外侧的环氧封装体（4），其特征在于：水平延伸的所述上电极（2）的一端为与二极管芯片（1）的上表面电连接的上连接部（21）、另一端为延伸至环氧封装体（4）外侧的第一引脚部（23），水平延伸的所述下电极（3）的一端为与二极管芯片（1）的下表面电连接的下连接部（31）、另一端为延伸至环氧封装体（4）外侧的第二引脚部（33）； 所述上电极（2）的上连接部（21）下方形成有一上减薄区（22），所述下电极（3）的下连接部（31）上方形成有一下减薄区（32），所述二极管芯片（1）位于上减薄区（22）与下减薄区（32）内，所述上连接部（21）的下表面和或下连接部（31）的上表面并位于二极管芯片（1）的外侧设置有一平行于二极管芯片（1）的边缘处设置的凹槽（6），所述二极管芯片（1）分别通过一位于凹槽（6）内侧的焊接层（5）与上连接部（21）、下连接部（31）焊接连接。

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