东华理工大学张志宾获国家专利权
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龙图腾网获悉东华理工大学申请的专利一种用于检测铀离子的光电化学传感器及基于其的检测方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119023756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411210022.0，技术领域涉及：G01N27/26；该发明授权一种用于检测铀离子的光电化学传感器及基于其的检测方法与应用是由张志宾;董志敏;刘云海;金涵;李作佳设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于检测铀离子的光电化学传感器及基于其的检测方法与应用在说明书摘要公布了：本发明属于放射性核素分析检测技术领域，公开了一种用于检测铀离子的光电化学传感器及基于其的检测方法与应用，特别是针对水体中铀离子浓度的检测。本发明通过利用等离子辐照在CdS表面引入SO4，利用光响应电流变化值与水中铀离子浓度成线性相关，根据待测溶液中光响应电流值变化实现对水体中铀离子浓度的测定。其与能带匹配的半导体助催化剂构建得到CdS基复合材料，可进一步促进光生电子‑空穴分离，具有显著提升的灵敏度，可实现对铀离子的快速检测，且最低检测浓度可达0.41pmol·L‑1‑1mmol·L‑1，满足实际环境水样的检测，可适用于水体中痕量UVI离子的操作简便、低成本、高选择、快速、实时在线检测。
本发明授权一种用于检测铀离子的光电化学传感器及基于其的检测方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种用于检测铀离子的光电化学传感器的制备方法，其特征在于通过将CdS基复合材料涂覆于导电基底上得到； 所述的CdS基复合材料包括SO4-CdS纳米线、或SO4-CdS纳米线与能带结构相匹配的半导体形成的复合材料； 所述的SO4-CdS纳米线以CdS纳米线为原料，利用等离子辐照法制备得到；所述的半导体包括g-C3N4、TiO2、GO、MoS2、Ni中的至少一种。
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