成都赋仁生物科技有限公司钟晟获国家专利权
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龙图腾网获悉成都赋仁生物科技有限公司申请的专利复合树脂基底的单分子阵列芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119080402B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411183637.9，技术领域涉及：C03C17/32；该发明授权复合树脂基底的单分子阵列芯片及其制备方法是由钟晟;张汝;刘彬设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合树脂基底的单分子阵列芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及单分子免疫检测芯片领域，具体公开了一种复合树脂基底的单分子阵列芯片的制备方法，包括如下步骤：S1、对玻璃基片进行预处理，得到预处理基片；S2、将复合树脂基底材料加热至熔化，并维持温度以使复合树脂基底材料保持在熔化状态，得到熔化树脂；S3、将熔化树脂均匀涂布到预处理基片的表面，涂层厚度为30～75μm，得到涂布基片；S4、将纳米压印模具压合在涂布基片的涂层表面，待冷却至25℃以下后，移开纳米压印模具，得到压印基片。其优点是：能够在保证高灵敏度检测的前提下降低单分子阵列芯片的制造成本并提高芯片灵活性。
本发明授权复合树脂基底的单分子阵列芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.复合树脂基底的单分子阵列芯片的制备方法，其特征在于：生产原料包括玻璃基片和复合树脂基底材料，所述复合树脂基底材料由基础树脂材料和增效树脂材料按照质量比1:0.2～2的质量比组成，所述基础树脂材料由环氧树脂和聚碳酸酯按照质量比1:0.1～1.5的质量比组成，所述增效树脂材料包括聚甲基丙烯酸甲酯；具体包括如下步骤： S1、对所述玻璃基片进行预处理，得到预处理基片； S2、将所述复合树脂基底材料加热至熔化，并维持温度以使复合树脂基底材料保持在熔化状态，得到熔化树脂； S3、将所述熔化树脂均匀涂布到所述预处理基片的表面，涂层厚度为20～70μm，得到涂布基片； S4、将纳米压印模具压合在所述涂布基片的涂层表面，待冷却至25℃以下后，移开纳米压印模具，得到压印基片；还包括使用六氟异丁基三甲氧基硅烷溶液对所述压印基片进行浸泡改性的步骤。
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