深圳市中科半导体科技有限公司马宏宇获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市中科半导体科技有限公司申请的专利一种硅衬底氮化镓半导体晶片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119252732B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411160696.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种硅衬底氮化镓半导体晶片及其制备方法和应用是由马宏宇;马成宇;任顺标设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅衬底氮化镓半导体晶片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅衬底氮化镓半导体晶片及其制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。该硅衬底氮化镓半导体晶片由硅单晶衬底、碳化硅单晶薄膜阻挡层、超薄多孔氮化钛弱键合解耦合层、氮化铝单晶薄膜成核层模板层及氮化镓单晶薄膜质量提升层依次叠加构成。本发明通过超薄多孔氮化钛弱键合解耦合层中的孔隙大小和孔隙密度调控，从而实现其上氮化铝单晶薄膜成核层模板层的弱键合解耦合的效果调控，进而实现硅衬底氮化镓材料的大失配应力调控及无裂纹厚度、材料结晶质量与制备效率提升。本发明的硅衬底氮化镓半导体晶片可应用于研制生产氮化镓基功率电子器件、微波射频器件及光电子器件。
本发明授权一种硅衬底氮化镓半导体晶片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种硅衬底氮化镓半导体晶片，其特征在于，包括： 一厚度500-1000µm的硅单晶衬底； 一厚度200-500nm的具有3C-SiC结构的碳化硅单晶薄膜阻挡层，设于所述硅单晶衬底上； 一厚度10-30nm的超薄多孔氮化钛弱键合解耦合层，设于所述碳化硅单晶薄膜阻挡层上； 一厚度500-1000nm的氮化铝单晶薄膜成核层模板层，设于所述超薄多孔氮化钛弱键合解耦合层上； 一厚度不低于5µm的氮化镓单晶薄膜质量提升层，设于所述氮化铝单晶薄膜成核层模板层上； 所述的超薄多孔氮化钛弱键合解耦合层是由含有铟组分的铟钛氮超薄单晶层经氢气气氛下高温高真空退火工艺处理使铟组分完全热分解析出而形成。
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