华南理工大学黄骏杰获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种基于双路噪声消除的毫米波宽带低噪声放大器获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223182114U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422012454.2,技术领域涉及:H03F1/26;该实用新型一种基于双路噪声消除的毫米波宽带低噪声放大器是由黄骏杰;许嵩林;李俊;何弘历;熊世杰设计研发完成,并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双路噪声消除的毫米波宽带低噪声放大器在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种基于双路噪声消除的毫米波宽带低噪声放大器,包括第一级放大器、不对称输出变压器、第二级放大器和输出巴伦结构;第一级放大器包括第三晶体管、第四晶体管、第一电感、第二电感和第三电感;第一电感的同名端与隔直电容的一端相连,第一电感的另一端同时与第三晶体管的源极、第二电感的同名端连接,第三晶体管的漏极作为第一级放大器的一输出端,第三电感的同名端与第四晶体管的栅极连接,第三电感的另一端与第三晶体管的栅极连接,第三电感设有中心抽头,第四晶体管的漏极作为第一级放大器的另一输出端。本实用新型不仅克服了采用隔离电容引发额外相位失配的缺点,还能在实现输入阻抗匹配下同时实现跨导增强和噪声消除。
本实用新型一种基于双路噪声消除的毫米波宽带低噪声放大器在权利要求书中公布了:1.一种基于双路噪声消除的毫米波宽带低噪声放大器,其特征在于,包括依次连接的第一级放大器、不对称输出变压器、第二级放大器和输出巴伦结构;其中, 所述第一级放大器包括第三晶体管MCG、第四晶体管MCS以及由第一电感LIN、第二电感LIP和第三电感LIS构成的耦合网络;所述第一电感LIN的同名端与隔直电容C1的一端相连,所述第一电感LIN的另一端同时与第三晶体管MCG的源极、第二电感LIP的同名端连接,所述第三晶体管MCG的漏极作为第一级放大器的一输出端,所述第三电感LIS的同名端与第四晶体管MCS的栅极连接,所述第三电感LIS的另一端与第三晶体管MCG的栅极连接,所述第三电感LIS设有中心抽头,且所述中心抽头输入晶体管的偏置电压VG;所述第四晶体管MCS的源极接地,所述第四晶体管MCS的漏极作为第一级放大器的另一输出端。
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