台湾积体电路制造股份有限公司张睿绅获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体衬底的无源器件及半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223181138U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421557728.X，技术领域涉及：H01L23/488；该实用新型半导体衬底的无源器件及半导体器件是由张睿绅;黄立贤;邱政男;庄曜群;卢胤龙设计研发完成，并于2024-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体衬底的无源器件及半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供一种无源器件或半导体衬底及其制造方法。无源器件包括在具有绝缘体衬底的衬底芯上的第一及第二上金属元件、形成在金属元件及绝缘体衬底上的钝化层、形成在钝化层上并与第一上金属元件电接触的第一导电元件及形成在钝化层上并与第二上金属元件电接触的第二导电元件。另外，器件包括形成在第一导电元件及第二导电元件之上的绝缘材料。第一导电元件及第二导电元件之间的绝缘材料定义出凹槽。器件更包括形成在第一导电元件及第二导电元件之间的凹槽中的味之素增层膜插塞元件。
本实用新型半导体衬底的无源器件及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体衬底的无源器件，其特征在于，包括： 第一上金属元件以及第二上金属元件，位于包括绝缘衬底的衬底芯上； 钝化层，形成在所述第一上金属元件、所述第二上金属元件以及所述绝缘衬底上； 第一导电元件，形成在所述钝化层上且电接触所述第一上金属元件； 第二导电元件，形成在所述钝化层上且电接触所述第二上金属元件； 绝缘材料，形成在所述第一导电元件以及所述第二导电元件上，其中所述第一导电元件以及所述第二导电元件之间的所述绝缘材料定义出凹槽；以及 味之素增层膜插塞元件，形成在所述第一导电元件以及所述第二导电元件之间的所述凹槽中。
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