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龙图腾网获悉哈尔滨理工大学申请的专利一种基于垂直阵列的陶瓷-聚合物准固态电解质的制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118659018B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410699573.1，技术领域涉及：H01M10/056；该发明授权一种基于垂直阵列的陶瓷-聚合物准固态电解质的制备方法和应用是由陈桢;牛泽宇;王阳;陈明华设计研发完成，并于2024-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于垂直阵列的陶瓷-聚合物准固态电解质的制备方法和应用在说明书摘要公布了：一种基于垂直阵列的陶瓷‑聚合物准固态电解质的制备方法和应用，它涉及一种准固态电解质的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有零维或一维无机填料的引入对提高复合电解质离子电导率效果不佳的问题。本发明提供了基于垂直阵列的陶瓷‑聚合物准固态电解质的制备方法，将具有垂直阵列孔道的LATP陶瓷框架嵌入聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯‑氯氟乙烯双氟磺酰亚胺锂盐基体中，并应用在锂金属电池中；LATP陶瓷框架具有稳定的自支撑结构和高的比表面积，增强了LATP与PVDF‑TrFE‑CFELiFSI的接触面积，并且不存在陶瓷团聚现象，能够显著增加电解质的电化学性能，还可以极大地提高了复合电解质的电导率。

本发明授权一种基于垂直阵列的陶瓷-聚合物准固态电解质的制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于垂直阵列的陶瓷-聚合物准固态电解质的制备方法，其特征在于所述制备方法具体是按以下步骤完成的： 一、制备3DLATP陶瓷框架： ①、将聚乙烯醇缩丁醛溶于N,N-二甲基甲酰胺中，磁力搅拌至聚乙烯醇缩丁醛完全溶解，再加入Li1.3Al0.3Ti1.7PO43，继续磁力搅拌，直至形成均匀溶液，得到混合液； ②、将混合液经真空脱泡后浇铸液流延在干燥洁净的玻璃板上，然后使用刮刀将其刮成膜，再在通风橱中静置后转移至去离子水浴中进行相转化一段时间，得到LATP-PVB薄膜，再转移至烘箱中干燥，得到干燥的LATP-PVB薄膜； 步骤一②中使用1000μm的刮刀将其刮成膜，再在通风橱中静置2min～3min后转移至去离子水浴中进行相转化2h； ③、将干燥的LATP-PVB薄膜裁成圆片，并至于空气气氛中，首先升温至400℃～450℃，于400℃～450℃下煅烧一段时间，再升温至850℃～900℃，于850℃～900℃下煅烧一段时间，再降温至室温，得到3DLATP陶瓷框架； 步骤一③中于400℃～450℃下煅烧1h～3h；步骤一③中于850℃～900℃下煅烧5h～7h； 二、制备PI-LATP电解质： ①、将PVDF-TrFE-CFE和LiFSI加入到DMF中，再磁力搅拌一段时间，得到均匀的回填溶液； 步骤二①中所述的PVDF-TrFE-CFE、LiFSI和DMF的质量体积比为0.2g～0.4g:0.1g～0.3g:2mL～4mL； ②、将回填溶液滴注于3DLATP陶瓷框架的表面，再真空干燥，得到基于垂直阵列的陶瓷-聚合物准固态电解质； 步骤二②中所述的回填溶液的体积与3DLATP陶瓷框架的表面积比为300μL～500μL:150mm2～300mm2。

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