上海南汇瓜果有限公司朱龙舟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海南汇瓜果有限公司申请的专利高温条件下西瓜栽培方法及破眠温床获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117796265B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410199113.2，技术领域涉及：A01G9/28；该发明授权高温条件下西瓜栽培方法及破眠温床是由朱龙舟;朱蓓;朱春荣;朱林杰设计研发完成，并于2024-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本高温条件下西瓜栽培方法及破眠温床在说明书摘要公布了：本发明涉及高温条件下西瓜栽培方法及破眠温床，包括种植单元，在所述种植单元中间设置一条通道并在所述通道两侧设置第一种植带和第二种植带，所述第一种植带下方设置一个长方体第一容置腔室，所述第二种植带下方设置一个长方体第二容置腔室，所述第一容置腔室和第二容置腔室内覆设可降解材质的袋子，所述袋子内填充设置肥料，本发明在不改变常规和传统栽培模式的基础上，在不柝大棚、不打破避雨栽培的情况下，具有在高温条件实现西瓜易座果、提高产量，产出优质西瓜的优点。
本发明授权高温条件下西瓜栽培方法及破眠温床在权利要求书中公布了：1.高温条件下西瓜栽培方法，其特征在于，其中采用破眠温床，所述破眠温床包括种植单元，在所述种植单元中间设置一条通道并在所述通道两侧设置第一种植带和第二种植带，所述第一种植带下方设置一个长方体第一容置腔室，所述第二种植带下方设置一个长方体第二容置腔室，所述第一容置腔室和第二容置腔室内覆设可降解材质的袋子，所述袋子内填充设置肥料； 所述高温条件下西瓜栽培方法包括如下步骤： S1：整地做垄时在种植单元中间搭建通道，在所述通道两侧挖设第一容置腔室和第二容置腔室，将肥料装入可降解材质的袋子后预埋至所述第一容置腔室和第二容置腔室，在所述第一容置腔室和第二容置腔室上方分别覆设第一种植带和第二种植带； S2：温度区间为5~20℃时，每株西瓜采用二蔓一果栽培模式； S3：温度区间为15~30℃时，西瓜成熟采收后，将部分第一根系剪除，催生第二根系，西瓜再次成熟采收后，将所述第二根系剪除，催生第三根系； S4：温度区间为30℃以上时，做好所述第三根系转移生长的准备，每株西瓜的栽培模式由二蔓一果变为多蔓一果； S5：在所述种植带上浇灌适量清水，释放肥源，将所述第三根系引导至所述破眠温床。
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