中国电子科技集团公司第二十九研究所崔西会获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十九研究所申请的专利一种微波件减重密封外壳封装结构及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118042762B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410141159.9，技术领域涉及：H05K5/04；该发明授权一种微波件减重密封外壳封装结构及制造方法是由崔西会;方杰;黎康杰;李文;彭颐豫;许冰;张坤;贾斌;孔欣;韩小亮;何东;王强;罗文锴设计研发完成，并于2024-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微波件减重密封外壳封装结构及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微波件减重密封外壳封装结构及制造方法，涉及微波件封装外壳结构设计和制造领域，其中封装结构包括：封装结构主体、过渡区域、密封区域；所述封装结构主体采用镁合金制成；所述过渡区域位于封装结构主体与密封区域之间，采用钼铜合金制成；所述密封区域采用铝合金制成；并以此提出了一种制造方法；本发明，在解决微波件封装外壳密度小于2.0gcm3要求的同时，解决了此类封装外壳的可靠密封问题；由于采用的是局部高能束加热密封，兼顾了该类微波件微组装过程的工艺兼容性。
本发明授权一种微波件减重密封外壳封装结构及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种微波件减重密封外壳封装结构，其特征在于，包括：封装结构主体、过渡区域、密封区域；所述封装结构主体采用镁合金制成；所述过渡区域位于封装结构主体与密封区域之间，采用钼铜合金制成；所述密封区域采用铝合金制成； 所述镁合金、钼铜合金和铝合金采用激光辐射表面诱导处理后热等静压的方法，制成一体化封装材料；所述封装结构主体、过渡区域、密封区域由所述封装材料制成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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