上海馨欧集成微电有限公司张丽萍获国家专利权
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龙图腾网获悉上海馨欧集成微电有限公司申请的专利一种高频声波谐振器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118074658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410132170.9，技术领域涉及：H03H9/05；该发明授权一种高频声波谐振器及其制备方法是由张丽萍设计研发完成，并于2024-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高频声波谐振器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及谐振器技术领域，特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。本申请的高频声波谐振器包括依次堆叠设置的第一支撑衬底、反射层、压电膜和电极。其中，反射层是通过对基础材料体进行离子注入改性形成的；至少包括沿第一支撑衬底的厚度方向层叠设置的一层低声速反射层和一层高声速反射层。反射层能够对高声速声波的能量进行层层反射，将高声速的声波能量约束在压电层和反射层内部，防止高声速声波的能量向第一支撑衬底泄露造成损耗。实现对高声速和大机电耦合系数声波模式的有效激发，制得高频、大带宽的声波谐振器。
本发明授权一种高频声波谐振器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高频声波谐振器，其特征在于，包括： 第一支撑衬底； 位于所述第一支撑衬底一侧表面的反射层，所述反射层是对基础材料体进行离子注入改性形成的；至少包括沿所述第一支撑衬底的厚度方向层叠设置的一层低声速反射层和一层高声速反射层； 位于所述反射层背离所述第一支撑衬底的表面的压电膜，与所述第一支撑衬底互为异质材料，且与反射层互为异质材料，所述低声速反射层、所述压电膜、所述基础材料体的声阻抗依次升高，所述高声速反射层的声阻抗大于所述压电膜的声阻抗； 位于所述反射层与所述压电膜之间的第一介质层，所述第一介质层与所述压电膜互为异质材料，且与所述第一支撑衬底互为异质材料； 所述压电膜与所述反射层之间还设置有第二介质层； 位于所述压电膜背离所述反射层的表面的电极，其中，所述电极为图案化电极，所述图案化电极的周期为λ，所述第二介质层的厚度不超过0.4λ。
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