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龙图腾网获悉长三角太阳能光伏技术创新中心;昆山博思格电子材料有限公司申请的专利太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943226B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410084669.7，技术领域涉及：H10F10/17；该发明授权太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统是由沈辉;朱广霞设计研发完成，并于2024-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。太阳电池包括：本征半导体基底，包括本征区、第一面和第二面，所述第一面和所述第二面设于所述本征半导体基底的相对两侧，所述本征区设于所述第一面和所述第二面之间；第一掺杂结构，具有第一掺杂类型，所述第一掺杂结构设于所述本征区的靠近所述第一面的一侧；第二掺杂结构，具有第二掺杂类型，所述第二掺杂结构设于所述本征区的靠近所述第二面的一侧；其中，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型相反，所述第一掺杂结构、所述本征区和所述第二掺杂结构构成p‑i‑n结构。本申请一方面能够降低太阳电池制备工艺的复杂度和制造成本，另一方面能够提高太阳电池的转换效率。

本发明授权太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统在权利要求书中公布了：1.一种太阳电池，其特征在于，包括： 本征半导体基底，包括本征区、第一面和第二面，所述第一面和所述第二面设于所述本征半导体基底的相对两侧，所述本征区设于所述第一面和所述第二面之间；所述本征半导体基底为单晶硅； 第一掺杂结构，具有第一掺杂类型，所述第一掺杂结构设于所述本征区的靠近所述第一面的一侧；以及 第二掺杂结构，具有第二掺杂类型，所述第二掺杂结构设于所述本征区的靠近所述第二面的一侧； 其中，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型相反，所述第一掺杂结构、所述本征区和所述第二掺杂结构构成p-i-n结构； 所述第一掺杂结构设于所述第一面的远离所述第二面的一侧，且所述第一掺杂结构为多晶硅薄膜；所述第二掺杂结构设于所述第二面的远离所述第一面的一侧，且所述第二掺杂结构为多晶硅薄膜； 所述太阳电池还包括： 第二隧穿层，设于所述第一面，所述第一掺杂结构设于所述第二隧穿层的远离所述第二面的一侧；以及 第三隧穿层，设于所述第二面，所述第二掺杂结构设于所述第三隧穿层的远离所述第一面的一侧； 所述太阳电池还包括第三掺杂结构，所述第三掺杂结构具有第二掺杂类型，且设于所述第一掺杂结构的远离所述本征区的一侧；所述第三掺杂结构与所述第一掺杂结构构成p-n结； 所述太阳电池还包括第四掺杂结构，所述第四掺杂结构具有第一掺杂类型，且设于所述第二掺杂结构的远离所述本征区的一侧；所述第四掺杂结构与所述第二掺杂结构构成p-n结。

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