光本位科技(苏州)有限公司程唐盛获国家专利权
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龙图腾网获悉光本位科技(苏州)有限公司申请的专利一种光波导及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118884609B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411095187.8,技术领域涉及:G02B6/13;该发明授权一种光波导及其制备方法是由程唐盛;蒲华楠;胡梓昕设计研发完成,并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光波导及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种光波导,其包括:光波导层,位于所述光波导层上的调制层,所述光波导层和所述调制层之间设置有第一隔离层,所述调制层上覆盖有第一保护层,还包括:围绕在所述第一隔离层和所述调制层周围的第二隔离层,以及围绕在所述第一保护层、所述第二隔离层、所述光波导层周围的第二保护层;其中,所述调制层被包裹在由所述第一保护层、所述第一隔离层和所述第二隔离层围合形成的密闭腔内,且所述调制层为相变材料层或所述调制层包括相变材料层。相应地,本发明还提供了制备该光波导的方法。
本发明授权一种光波导及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种制备光波导的方法,其特征在于,包括步骤: S1021,在衬底上集成光波导层,形成光波导平台; S1023,在外露于衬底之上的光波导层的外表面通过物理气相沉积或化学气相沉积形成第四厚度H4的第二停止层和第二厚度H2的第二氧化层;其中,所述第二停止层位于所述光波导层上方,其横截面呈T字形,且T字形的所述第二停止层中竖直部分的宽度大于所述光波导层的宽度; S1025,通过区域性刻蚀方法进行所述第二停止层和所述第二氧化层的开窗工艺,使得所述第二停止层在光波导层上形成厚度小于所述第四厚度H4的第一隔离层,以及围绕在所述第一隔离层周围,且横截面呈倒置L形的第二隔离层;所述第一隔离层的厚度小于1nm-100nm; S1027,采用第一薄膜沉积工艺将相变材料通过物理气相沉积方法沉积至所述第一隔离层的表面,以在所述第一隔离层及其周围的所述第二隔离层所形成的窗口内形成预设厚度的相变材料层;所述预设厚度小于或等于所述第四厚度H4与所述第一隔离层的厚度之差; S1029,采用第二薄膜沉积工艺将氧化层沉积至相变材料层实现覆盖,得到第六厚度的第一保护层;所述该氧化层的材质为氧化硅,氧化铝或ITO的其中一种。
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