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龙图腾网获悉东华大学申请的专利一种表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116899418B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311035521.6，技术领域涉及：B01D71/34；该发明授权一种表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜的制备方法是由张星冉;蒋浓;罗意设计研发完成，并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜的制备方法，属于水处理科学与技术领域。所述制备方法为：对膜基底进行亲水改性，得到亲水改性的膜基底；硅源前驱体从溶液相扩散到液相中，并在膜面催化剂的作用下反应，得到混合液；将膜基底置于混合液中，进行纳米刺状结构的成核和生长，获得表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜。本发明制备的表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜具有良好的水通量和机械强度，且对细菌及微生物在基膜上的生长定殖有明显的抑制作用，有效提高了基膜的抗菌抗污染性能，在水处理领域具有潜在的应用价值。

本发明授权一种表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种表面二氧化硅刺状阵列PVDF膜在水处理抗菌中的应用，其特征在于，所述表面二氧化硅刺状阵列PVDF膜的制备方法包括以下步骤： 步骤1：对PVDF膜基底进行亲水改性，得到亲水改性的膜基底； 步骤2：硅源前驱体从溶液相扩散到液相中，并在膜面催化剂的作用下反应，得到混合液； 步骤3：将步骤1得到的膜基底置于步骤2得到的混合液中，进行纳米刺状结构的成核和生长，获得表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜； 所述步骤1包括如下步骤： 步骤1.1：将待改性的膜基底置于等离子体发生器中，抽真空至5-20Pa； 步骤1.2：通入氩气或氮气使真空度不大于50Pa； 步骤1.3：调节放电功率为20-100W，处理时间为2-20min； 所述步骤2包括如下步骤： 步骤2.1：通过超声处理将2-20g表面活性剂十二烷基硫酸钠溶解在100-500mL有机溶液正丙醇中，然后添加0.02-0.1molL柠檬酸钠； 步骤2.2：在超声条件下，将步骤1制备的亲水改性的膜基底浸入步骤2.1所得溶液中，再加入1-10mL碱性催化剂氨水； 步骤2.3：在超声条件下，向步骤2.2所得溶液中缓慢加入200-2000μL硅源前驱体硅酸四乙酯，反应1-10min； 所述步骤3包括如下步骤： 步骤3.1：将步骤1得到的膜基底置于步骤2得到的混合液中，在40-80℃烘箱内静置2-8h； 步骤3.2：取出膜基底，室温晾干，即得表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜。

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