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龙图腾网获悉安建科技有限公司申请的专利一种场效应管器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116632068B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310844967.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种场效应管器件及其制造方法是由伍震威;梁嘉进;单建安设计研发完成，并于2023-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种场效应管器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种场效应管器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，为克服现有的问题，本发明通过在器件内设置第一区域和第二区域，所述的第一区域包括第二导电型掺杂体区、第一源区、第二导电型重掺杂的接触掺杂区以及第一掺杂区和接触孔沟槽；所述的第二区域包括有第二导电型掺杂体区以及第一导电型重掺杂的第二掺杂源区；本发明提出一种屏蔽栅沟槽型场效应管器件结构及制造工艺流程，能够实现更小的元胞尺寸，具有更低的导通电阻和更好的开关阈值均匀性。

本发明授权一种场效应管器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种场效应管器件，所述的器件包括有第一导电型外延层，位于所述的第一导电型外延层内的一系列元胞沟槽，所述的元胞沟槽内设有相互隔离的屏蔽栅电极、位于所述的屏蔽栅电极上方的栅极电极以及位于器件顶部的上表面金属；其特征在于，所述的元胞沟槽之间位于半导体上部交替排列的第一区域和第二区域，所述的第一区域包括第二导电型掺杂体区、设于所述的第二导电型掺杂体区上方的位于元胞沟槽两侧的且深度超过所述的栅极电极的第一导电型重掺杂的第一源区、位于左右两个第一导电型重掺杂的第一源区之间的第二导电型重掺杂的接触掺杂区以及位于第一导电型重掺杂的第一掺杂区和第二导电型重掺杂的接触掺杂区上方的接触孔沟槽；所述的第二区域包括有第二导电型掺杂体区以及设于所述的第二导电型掺杂体区上方的位于元胞沟槽两侧且深度超过所述的栅极电极的第一导电型重掺杂的第二掺杂源区；所述的第一导电型重掺杂的第一源区和第一导电型重掺杂的第二源区相连，所述的第二导电型重掺杂的接触掺杂区、所述的第一导电型重掺杂的第一源区和第一导电型重掺杂的第二源区通过欧姆接触连接到上表面金属； 所述的第一导电型重掺杂的第二源区为“门”字形，相邻的接触孔沟槽被第一导电型重掺杂的第二源区的“门”字形的上部的隔开。

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